类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　功耗（Pd）：100W
　　导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：双排散热封装（如TO-247）

RU3AWS 的主要优势之一是其极低的导通电阻，这使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件采用了瑞萨电子的先进沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能，减少了开关损耗，使得在高频应用中表现更为出色。
　　此外，RU3AWS 具有较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。
　　RU3AWS 还采用了抗静电（ESD）保护设计，提升了器件在生产和使用过程中的抗静电能力，降低了损坏风险。其栅极设计具有良好的驱动兼容性，适用于多种驱动电路，包括常见的PWM控制器和栅极驱动IC。

RU3AWS 广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业电机驱动以及服务器电源等。在这些应用中，RU3AWS 能够提供高效的功率转换，减少能量损耗，并提高系统的整体性能。
　　在电源管理系统中，RU3AWS 可用于高侧或低侧开关，实现高效的电源分配和负载管理。在电机控制应用中，它能够提供快速的开关响应，减少开关损耗，并支持高频率操作，从而提高电机的控制精度和效率。
　　由于其优异的热性能和可靠性，RU3AWS 也适用于一些对环境条件要求较高的应用场景，如汽车电子、工业自动化和可再生能源系统。

SiS434DK, IRF1404, NexFET CSD17579Q5B