RU20130L 时间：2025/12/25 13:53:47 阅读：16

RU20130L是一款由Runic（润石）科技推出的低压、高效同步整流N沟道MOSFET，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及同步整流电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流条件下显著降低导通损耗，从而提升电源系统的整体效率。RU20130L的封装形式为SOP-8L，符合工业标准，便于自动化贴装和散热管理，适用于对空间和能效有较高要求的电源设计场景。
　　RUNIC作为国内领先的模拟及功率器件供应商，其产品线覆盖了多种电源管理芯片与功率MOSFET，RU20130L正是其在低电压同步整流领域的重要代表之一。该芯片支持逻辑电平驱动，可直接由PWM控制器或专用驱动IC控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。此外，其具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在较宽的温度范围内可靠运行，适用于适配器、充电器、服务器电源、通信设备电源等多种应用场合。

参数

型号：RU20130L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8L
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：20A
　　脉冲漏极电流IDM：80A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：6.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：8.5mΩ
　　栅极电荷Qg（typ）：18nC
　　输入电容Ciss（typ）：1050pF
　　开启延迟时间td(on)（typ）：12ns
　　关断延迟时间td(off)（typ）：25ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃

特性

RU20130L采用先进的沟槽型MOSFET结构，在保证高电流承载能力的同时实现了超低的导通电阻。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为6.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性使得器件在大电流输出条件下仍能保持较低的功率损耗，有效减少发热，提升系统效率。例如，在一个12V转5V的同步降压变换器中，作为下管使用的RU20130L可以显著降低续流阶段的能量损耗，相比传统肖特基二极管整流方案可提高效率2~5%。
　　该器件还具备优异的栅极电荷特性，典型输入电容为1050pF，栅极电荷Qg仅18nC，意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于高频开关应用。较低的驱动损耗使其适合用于工作频率高达数百kHz甚至1MHz以上的高效率电源拓扑。同时，其开启和关断延迟时间分别为12ns和25ns，开关速度较快，进一步减少了开关过程中的交越损耗。
　　RU20130L的SOP-8L封装不仅节省PCB空间，而且通过暴露焊盘设计增强了散热性能，允许在不使用外加散热片的情况下处理较高的功耗。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压蒸煮（PCT）等，确保在严苛环境下的长期稳定性。此外，其具备较强的抗雪崩能力和良好的ESD防护性能，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。这些综合特性使RU20130L成为中小功率电源系统中理想的同步整流器件选择。

应用

RU20130L主要应用于各类需要高效能量转换的电源系统中。典型应用场景包括但不限于：同步降压（Buck）转换器中的低边开关，用于替代传统的肖特基二极管以实现同步整流，从而大幅提升转换效率，尤其适用于笔记本电脑适配器、手机快充、USB PD电源模块等领域；在基于DC-DC模块的工业电源系统中，该器件可用于多相并联架构中，分担电流负载，提升整体输出能力与热分布均匀性；此外，在服务器主板VRM（电压调节模块）设计中，RU20130L也可作为下管使用，配合高端驱动器完成高效的电压调节任务。
　　由于其支持逻辑电平驱动且阈值电压适中（通常在1.2V~2.2V之间），RU20130L可以直接与主流PWM控制器或集成驱动IC接口，无需额外的电平移位电路，降低了系统成本与设计复杂度。在电池供电设备如便携式仪器、移动电源、无人机电源管理系统中，该器件有助于延长续航时间。同时，在通信设备如路由器、交换机的板载电源中，RU20130L能够满足高密度、高效率的设计需求。此外，它还可用于LED驱动电源、FPGA核心供电、AI加速卡辅助电源等多种新兴应用领域，展现出广泛的适用性和良好的兼容性。