类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：1.8A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：4.8A
　　栅源击穿电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：75mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：100mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 0.9V
　　输入电容（Ciss）：240pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Cres）：35pF @ Vds=10V
　　栅极电荷（Qg）：4.5nC @ Vgs=4.5V
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：DFN1010D-3 (1.0×1.0)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道

RU1L002SNTL的最主要特性之一是其超小型封装设计，采用了DFN1010D-3封装技术，尺寸仅为1.0mm × 1.0mm × 0.55mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合高度集成的移动设备应用。这种封装还具备良好的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效导出，从而提升器件在高负载条件下的长期稳定性。此外，该封装无引脚设计减少了寄生电感，有助于提高高频开关效率。
　　在电气性能方面，RU1L002SNTL具有较低的导通电阻，在Vgs=4.5V时典型值为75mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。即使在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下，其Rds(on)仍可控制在100mΩ以内，使其兼容现代低电压逻辑控制系统，例如由3.3V或1.8V电源供电的微控制器输出直接驱动。这一特性对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间。
　　该器件的阈值电压范围为0.6V至0.9V，确保在较低的控制信号下即可实现快速开启，响应速度快，适用于高速开关场合。同时，其输入电容（Ciss）为240pF，反向传输电容（Cres）为35pF，较小的电容值意味着更低的驱动功率需求和更快的开关速度，有助于减少开关损耗，提升转换效率。栅极电荷仅为4.5nC（@Vgs=4.5V），进一步优化了动态性能。
　　热性能方面，RU1L002SNTL的最大工作结温可达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。器件经过可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期使用的安全性与稳定性。此外，产品符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，可用于对可靠性有较高要求的消费类及工业类应用。

RU1L002SNTL广泛应用于各类便携式电子产品中，作为电源开关、负载开关或信号切换元件使用。在智能手机和平板电脑中，常用于摄像头模组电源控制、显示屏背光驱动、传感器供电管理等子系统的通断控制，利用其低导通电阻和小封装优势实现高效节能和紧凑布局。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，该MOSFET可用于电池与不同功能模块之间的电源隔离，以降低待机功耗并延长使用时间。
　　在物联网（IoT）终端设备中，RU1L002SNTL被用作无线模块（如Wi-Fi、蓝牙、NB-IoT）的电源开关，能够在设备休眠时切断外围电路供电，仅保留核心处理器运行，从而实现精细化电源管理。此外，它也适用于各种DC-DC转换器的同步整流或低端开关应用，尤其是在降压变换器中作为下桥臂开关，配合控制器实现高效的电压调节。
　　由于其具备良好的开关特性和稳定性，该器件还可用于LED驱动电路中的恒流控制开关，或在电机驱动、继电器驱动等小功率负载控制场合中替代机械开关，提升系统寿命和响应速度。在工业传感器、医疗电子设备以及智能家居控制面板中，RU1L002SNTL也发挥着关键作用，提供可靠且高效的电子开关解决方案。

DMG2302UK-7
　　FDS6670AZ
　　AO1863
　　SI2302DS
　　RTQ2142-30