时间：2025/5/29 17:26:51
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RU1HE12L是东芝公司生产的一款双通道N沟道增强型功率MOSFET。这款芯片广泛应用于需要高效率、低功耗的电路设计中，例如电机驱动、开关电源、DC-DC转换器以及电池管理等场景。其采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和良好的开关性能。
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：43A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：190W
工作温度范围Tj：-55℃ to +175℃
RU1HE12L具有非常低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
该芯片具备快速开关速度，适合高频应用环境。
其封装形式为TO-264-2L，便于散热和安装。
此外，该芯片还具有较强的耐热能力和较高的可靠性，适用于严苛的工作条件。
RU1HE12L常用于各种功率转换设备中，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动工具驱动电路以及电动车控制器。
由于其低导通电阻和大电流承载能力，也适合用作同步整流器或负载开关。
另外，它还可以在工业自动化控制领域发挥重要作用，例如伺服驱动和机器人控制等方面。
RU1HE10L, IRFZ44N, STP160N06LL
