RU1H35L 是一种基于 MOSFET 技术的功率半导体器件,属于低导通电阻的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它被广泛应用于电源管理、马达驱动和各种开关电路中。RU1H35L 的设计重点在于优化其导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷特性,从而降低功耗并提升效率。此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,适用于需要高效能和高频率工作的场景。
由于 RU1H35L 具有较低的导通电阻,因此特别适合在要求低损耗的应用中使用,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和紧凑型设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:27A
导通电阻:1.4mΩ(典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷:36nC(典型值)
总电容:1300pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263/D2PAK
RU1H35L 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下显著减少功率损耗。
2. 高额定电流能力,允许其在大功率应用场景下可靠运行。
3. 小巧的封装尺寸,适合现代电子产品的紧凑设计需求。
4. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷,使得 RU1H35L 在高频应用中表现出色。
5. 较宽的工作温度范围,支持从极端低温到高温环境的使用。
6. 稳定的电气性能和耐热性,确保长期运行的可靠性。
这些特性使得 RU1H35L 成为高效功率转换和控制的理想选择。
RU1H35L 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 各种电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED 驱动器和汽车电子系统中的高性能开关。
6. 笔记本电脑适配器和其他便携式设备中的高效功率管理。
由于其高效的功率处理能力和紧凑的设计,RU1H35L 在消费类电子产品、工业设备和汽车电子等多个领域都得到了广泛应用。
RU1H30L, IRF3710, FDP17N30