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RU1C002ZPTCL 发布时间 时间:2025/5/8 14:20:32 查看 阅读:5

RU1C002ZPTCL 是一款由罗姆(ROHM)生产的陶瓷电容器,属于 C 系列。该产品采用多层陶瓷技术制造,具有高可靠性和稳定的电气性能。它适用于各种电子设备中的滤波、耦合和旁路等应用场景。
  这种电容器采用了先进的材料工艺,使其在高频环境下表现出优良的特性,并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的容量。

参数

容量:0.02μF
  额定电压:50V
  公差:±5%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装类型:0402 (EIA 1005)
  介质类型:C0G (NP0)
  ESR(等效串联电阻):低
  外形尺寸:1.0mm x 0.5mm

特性

RU1C002ZPTCL 的主要特性包括:
  1. 高频性能优越,适合用于高频电路设计。
  2. 温度系数为零(即 NP0 类型),保证了在不同温度下的稳定性。
  3. 小巧的封装形式,适合高密度贴片组装需求。
  4. 优秀的抗机械应力能力,能够适应振动或冲击较大的环境。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅,支持绿色制造流程。
  6. 具备较低的等效串联电阻(ESR),从而减少了能量损耗。

应用

RU1C002ZPTCL 广泛应用于以下领域:
  1. 滤波器设计,如电源输入端的噪声抑制。
  2. 耦合和去耦功能,在信号链中提供干净的直流偏置。
  3. RF(射频)电路中的匹配网络。
  4. 高速数字电路中的电源退耦。
  5. 工业控制设备中的高频干扰消除。
  6. 汽车电子系统中的稳定电容配置。

替代型号

RU1C002ZPTC, GRM155R71C2K0J01D

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RU1C002ZPTCL参数

  • 现有数量39,759现货
  • 价格1 : ¥2.31000剪切带(CT)3,000 : ¥0.40317卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)115 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装UMT3F
  • 封装/外壳SC-85