RU1A 时间：2025/8/20 18:55:12 阅读：21

RU1A是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装，适用于高密度PCB设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：20A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(ON)）：16mΩ（最大值，VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

RU1A具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中具备较低的功率损耗和发热表现。该器件的栅极驱动电压范围适中，可在4.5V至8V之间正常工作，兼容常见的逻辑电平驱动电路。此外，RU1A采用的封装形式为SOP（小外形封装），适用于自动化装配和紧凑型设计。
　　其内部结构优化了电流分布，提高了可靠性和稳定性，同时具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下工作。该MOSFET还具有快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等高频应用场合。