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RTR030N05TL 发布时间 时间:2025/6/3 14:26:47 查看 阅读:4

RTR030N05TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源管理和电机驱动应用。其耐压能力为 50V,并且能够提供高达 30A 的连续漏极电流(在特定条件下)。这款 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及工业控制领域。
  由于其出色的电气特性和可靠性,RTR030N05TL 成为了许多设计工程师的首选器件之一。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:48nC(典型值)
  反向恢复时间:12ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-263

特性

RTR030N05TL 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保了高效率和较低的功耗。
  2. 快速的开关性能,非常适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。
  5. 紧凑的 TO-263 封装形式,便于散热管理并节省 PCB 空间。
  这些特性使得 RTR030N05TL 在需要高效功率转换的应用中表现出色。

应用

RTR030N05TL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 工业自动化设备中的电机驱动和负载控制。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
  4. 各种消费类电子产品中的负载开关和功率分配。
  5. 汽车电子中的辅助电源和驱动电路。
  凭借其卓越的性能和可靠性,这款 MOSFET 可以满足多种应用场景的需求。

替代型号

RTP030N05TL, IRFZ44N, FDP158N05A

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RTR030N05TL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)45V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C67 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TSMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RTR030N05TLTR