时间：2025/6/21 11:07:10
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RTR025N05TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装形式，适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，非常适合在消费电子、通信设备和工业控制等领域中使用。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：2.5A
导通电阻：180mΩ（典型值）
栅极阈值电压：1.2V 至 3V
功耗：470mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
RTR025N05TL 的主要特点包括低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提升效率；同时具备快速的开关性能，能够适应高频应用需求。
此外，其小型化的 SOT-23 封装使得它非常适合空间受限的设计环境，并且具有较高的耐热性和可靠性，确保在各种条件下稳定运行。
该功率 MOSFET 广泛应用于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电池管理电路以及电机驱动等场景。
由于其高效的特性和紧凑的封装设计，它也非常适合于手机充电器、笔记本电脑适配器和其他便携式电源管理系统。
RFP70N05,
SI2302DS,
FDMC8835
