RTR025N03HZG是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装工艺,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻,适用于电源转换、射频放大器以及其他高效能电子设备。
这款晶体管具有极低的栅极电荷和输出电容,可显著提高系统效率并降低能耗。同时,其出色的热特性和可靠性使其成为现代电力电子应用的理想选择。
型号:RTR025N03HZG
类型:增强型氮GaN FET)
最大漏源电压:300V
最大连续漏极电流:25A
导通电阻:70mΩ(典型值)
栅极电荷:45nC(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
RTR025N03HZG具备以下关键特性:
1. 高效的氮化镓技术确保了低导通电阻和快速开关速度。
2. 支持高达300V的工作电压,适合多种高压应用场景。
3. 极低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。
4. 增强的热管理能力,能够有效延长器件寿命。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使得RTR025N03HZG在高频DC-DC转换器、电机驱动、太阳能逆变器以及电动汽车充电等领域表现出色。
RTR025N03HZG广泛应用于以下领域:
1. 工业电源:用于高效的AC-DC和DC-DC转换器中,提升电源系统的整体效率。
2. 新能源领域:包括太阳能微逆变器和储能系统中的功率调节。
3. 电动车辆:作为车载充电器和DC-DC转换器的核心组件。
4. 射频功率放大器:支持高性能通信设备和雷达系统。
5. 电机驱动:实现更精确的控制和更高的能量利用率。
凭借其优异的性能,RTR025N03HZG已成为众多高要求应用中的首选解决方案。
RTR030N03HZG
RTR020N03HZG