时间：2025/6/6 10:29:10
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RTR025N03HZG是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装工艺，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，适用于电源转换、射频放大器以及其他高效能电子设备。
这款晶体管具有极低的栅极电荷和输出电容，可显著提高系统效率并降低能耗。同时，其出色的热特性和可靠性使其成为现代电力电子应用的理想选择。
型号：RTR025N03HZG
类型：增强型氮GaN FET）
最大漏源电压：300V
最大连续漏极电流：25A
导通电阻：70mΩ（典型值）
栅极电荷：45nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
RTR025N03HZG具备以下关键特性：
1. 高效的氮化镓技术确保了低导通电阻和快速开关速度。
2. 支持高达300V的工作电压，适合多种高压应用场景。
3. 极低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗。
4. 增强的热管理能力，能够有效延长器件寿命。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特性使得RTR025N03HZG在高频DC-DC转换器、电机驱动、太阳能逆变器以及电动汽车充电等领域表现出色。
RTR025N03HZG广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：用于高效的AC-DC和DC-DC转换器中，提升电源系统的整体效率。
2. 新能源领域：包括太阳能微逆变器和储能系统中的功率调节。
3. 电动车辆：作为车载充电器和DC-DC转换器的核心组件。
4. 射频功率放大器：支持高性能通信设备和雷达系统。
5. 电机驱动：实现更精确的控制和更高的能量利用率。
凭借其优异的性能，RTR025N03HZG已成为众多高要求应用中的首选解决方案。
RTR030N03HZG
RTR020N03HZG
