RTQ2103AGSP 时间：2025/5/10 12:30:09 阅读：2

RTQ2103AGSP 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率转换芯片。该器件采用先进的封装工艺，具有低导通电阻、高开关频率和卓越的热性能，适用于多种高功率密度应用场合。其内部集成了驱动器和保护电路，能够显著简化设计并提高系统的可靠性。
　　RTQ2103AGSP 主要针对快充适配器、数据中心电源、工业电源以及电动汽车充电设备等领域，为工程师提供了高效的功率解决方案。

参数

型号：RTQ2103AGSP
　　类型：GaN 功率晶体管
　　Vds（漏源电压）：650 V
　　Rds(on)（导通电阻）：150 mΩ
　　Id（持续漏极电流）：10 A
　　输入电容：2.4 nF
　　栅极电荷：75 nC
　　工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
　　封装形式：PDFN8 5x6mm

特性

RTQ2103AGSP 的主要特性包括：
　　1. 高开关频率支持，可达 2 MHz，从而减少磁性元件的尺寸，提升功率密度。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
　　3. 内置快速恢复二极管，优化了高频操作下的性能。
　　4. 稳定的热阻抗设计，保证在高温环境下的可靠运行。
　　5. 兼容标准逻辑电平输入，便于与控制器配合使用。
　　6. 强大的短路保护功能，确保在异常情况下的安全运行。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。

应用

RTQ2103AGSP 广泛应用于以下领域：
　　1. USB PD 快速充电器和适配器。
　　2. 开关模式电源（SMPS）及 AC-DC 转换器。
　　3. 数据中心高效 PSU（电源供应单元）。
　　4. 工业用电机驱动器和逆变器。
　　5. 无线充电系统中的功率传输模块。
　　6. 电动车充电桩的核心功率元件。
　　7. 高效 LED 驱动器和照明电源。