时间：2025/7/1 19:55:24
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RTQ045N03FRA是一款由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3L封装形式。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于各种高效能电源管理应用中，如DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。
该芯片以其卓越的电气性能和可靠性著称，广泛适用于工业和消费电子领域。
型号：RTQ045N03FRA
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-263-3L
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：80A
栅极电荷：17nC
Vgs(th)（阈值电压）：1.5V~2.5V
工作温度范围：-55℃~175℃
RTQ045N03FRA具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为4.5mΩ，这有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力（80A），能够满足大电流应用需求。
3. 快速开关性能，得益于其较低的栅极电荷（17nC），适合高频操作环境。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃到175℃），确保在极端条件下的稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 具备出色的热稳定性，可有效防止因过热引起的故障。
7. TO-263-3L封装设计简化了电路板布局，并提供良好的散热性能。
RTQ045N03FRA适用于多种电力电子设备及应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电动工具与家用电器中的电机驱动。
3. 负载开关及保护电路中的快速切换元件。
4. 工业自动化控制系统的电源管理模块。
5. 汽车电子设备中的高电流负载驱动。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
7. 多种需要高效功率转换的应用场合。
RTQ045N03FTA, IRFZ44N, FDP55N06L
