您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RTQ045N03FRA

RTQ045N03FRA 发布时间 时间:2025/7/1 19:55:24 查看 阅读:8

RTQ045N03FRA是一款由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3L封装形式。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,非常适合用于各种高效能电源管理应用中,如DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。
  该芯片以其卓越的电气性能和可靠性著称,广泛适用于工业和消费电子领域。

参数

型号:RTQ045N03FRA
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-263-3L
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
  Id(持续漏极电流):80A
  栅极电荷:17nC
  Vgs(th)(阈值电压):1.5V~2.5V
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

RTQ045N03FRA具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,这有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力(80A),能够满足大电流应用需求。
  3. 快速开关性能,得益于其较低的栅极电荷(17nC),适合高频操作环境。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃到175℃),确保在极端条件下的稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 具备出色的热稳定性,可有效防止因过热引起的故障。
  7. TO-263-3L封装设计简化了电路板布局,并提供良好的散热性能。

应用

RTQ045N03FRA适用于多种电力电子设备及应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 电动工具与家用电器中的电机驱动。
  3. 负载开关及保护电路中的快速切换元件。
  4. 工业自动化控制系统的电源管理模块。
  5. 汽车电子设备中的高电流负载驱动。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  7. 多种需要高效功率转换的应用场合。

替代型号

RTQ045N03FTA, IRFZ44N, FDP55N06L

RTQ045N03FRA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价