型号：RTQ035P02TR
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-3.5A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：-8A
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：380pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：未内置体二极管快速恢复功能
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2x2-6 或类似小型化封装
　　功率耗散(PD)：1.5W（依PCB散热条件而定）

RTQ035P02TR采用先进的沟道设计与沟槽式MOSFET制造工艺，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -4.5V时典型值仅为45mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效表现。该特性尤其适用于对功耗敏感的应用场景，例如移动设备中的电源路径管理或电池供电系统中的负载开关控制。
　　其P沟道结构允许在高端开关配置中实现简便的驱动方式，无需额外的电荷泵电路即可完成有效的开关操作，从而简化了电源架构设计并减少了外围元件数量。器件的阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，确保在低电压控制系统中仍能实现可靠的开启与关断行为，兼容现代微控制器和逻辑IC输出电平。
　　RTQ035P02TR具备出色的热稳定性和长期可靠性，能够在-55°C到+150°C的结温范围内正常工作，适应严苛的环境条件。其封装采用高热导率材料和优化的引脚布局，有助于快速将热量传导至PCB，提升散热效率。同时，输入电容和输出电容分别仅为380pF和180pF，使得开关速度较快，动态响应性能优越，适合高频开关应用。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护特性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。无铅、无卤素的环保设计符合RoHS和Green Product规范，满足当前电子产品的绿色制造要求。总体而言，RTQ035P02TR是一款集高效、紧凑、可靠于一体的先进P沟道MOSFET解决方案。

RTQ035P02TR广泛应用于各类需要高效电源管理的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同模块的供电通断以实现节能目的。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电路径的控制，提供低损耗的电源切换功能，并支持反向电流阻断，防止电池倒灌损坏主控电路。
　　它也常见于DC-DC降压或升压转换器的同步整流拓扑中作为上桥臂开关使用，特别是在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的情况下，其逻辑电平驱动能力可以省去复杂的栅极驱动电路。
　　此外，RTQ035P02TR适用于USB电源开关、热插拔控制器、电源多路复用器以及过压/欠压保护电路中，凭借其快速响应特性和低静态功耗，能够有效提升系统的安全性和稳定性。
　　工业级的工作温度范围使其也可用于工业自动化设备、医疗仪器和物联网终端等对可靠性要求较高的领域。结合小型化封装优势，该器件特别适合高密度PCB布局设计，助力实现更轻薄、更高效的电子产品开发。

Si2301DS
　　AO3401A
　　FDMC7682
　　TPC2103