时间：2025/12/25 10:19:03
阅读：20
RTQ035N03TR是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热稳定性等优点，适用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的场合。RTQ035N03TR封装在小型化的SOT-23（或类似小外形表面贴装）封装中，有助于节省PCB空间，特别适合对尺寸敏感的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端设备。
该MOSFET的额定电压为30V，连续漏极电流可达数安培（具体取决于散热条件），其低栅极电荷和米勒电容特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗并提升系统整体效率。此外，RTQ035N03TR具有良好的抗雪崩能力和稳健的ESD防护设计，增强了其在实际应用中的可靠性与耐用性。Richtek作为知名的电源管理解决方案提供商，确保了该器件在质量控制和长期供货方面的稳定性，广泛受到工业、消费类电子及通信设备制造商的青睐。
型号：RTQ035N03TR
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大漏极电流(ID)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ @ Vgs=10V, Id=2.4A
导通电阻(Rds(on))：42mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.4A
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.0V
最大功耗(Pd)：1.6W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
输入电容(Ciss)：约380pF @ Vds=15V, Vgs=0V
开关时间(ton/toff)：典型值几十纳秒量级
封装形式：SOT-23-6 或 SOT-363-6（具体以规格书为准）
RTQ035N03TR的核心优势在于其超低的导通电阻与优化的开关性能之间的良好平衡，这使得它在低电压、中等电流的功率应用中表现尤为突出。其35mΩ的Rds(on)在Vgs=10V条件下实现了高效的能量传输，显著降低了导通状态下的I2R损耗，从而提升了系统的整体能效。同时，在Vgs=4.5V时仍能保持42mΩ的低阻值，说明该器件在逻辑电平驱动下也能稳定工作，兼容3.3V或5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
该器件采用了先进的沟槽工艺技术，不仅提高了单位面积的载流能力，还改善了热传导路径，增强了器件在持续高负载下的热稳定性。其较小的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）有效减少了驱动损耗和开关延迟，支持更高的PWM频率操作，适用于现代高密度、高频DC-DC变换器拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）及同步整流电路。
RTQ035N03TR具备出色的动态性能，包括快速的上升和下降时间，能够在毫微秒级别完成开关动作，减少交叉导通风险，并配合良好的体二极管反向恢复特性，进一步降低开关过程中的能量损耗。其静电放电（ESD）耐受能力较强，HBM模型下通常可承受超过2kV的静电冲击，提升了在自动化生产和现场使用中的鲁棒性。
此外，该MOSFET采用符合RoHS标准的绿色封装材料，无铅且环保，满足国际环保法规要求。封装尺寸紧凑，便于实现高密度布局，尤其适用于空间受限的移动设备电源模块。内部结构经过优化，具有较低的寄生电感和电阻，有助于抑制噪声和振铃现象，提高电磁兼容性（EMC）表现。总体而言，RTQ035N03TR是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的先进功率MOSFET，适用于各类对效率和体积有严苛要求的应用场景。
RTQ035N03TR广泛应用于多种中小型功率电子系统中，尤其是在便携式设备和嵌入式电源管理领域表现出色。常见应用包括手机、平板电脑、智能手表等移动设备中的电池供电切换与负载开关控制，用于防止系统待机时的漏电损耗，并实现多路电源的有序启停。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流开关，替代传统的肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提升转换效率，特别是在轻载和中载工况下节能效果显著。
此外，该器件也适用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动中的低端开关元件，凭借其快速响应和低导通压降，能够有效控制启动电流和运行温升。在LED背光驱动和恒流源设计中，RTQ035N03TR可用于调节电流路径的通断，实现精确的亮度控制。
工业控制领域中，该MOSFET可用于传感器模块、PLC输入输出接口、继电器驱动缓冲级等低功耗开关应用。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐设备、USB充电端口管理等非主驱系统。总之，凡是需要高效、小型、可靠功率开关的地方，RTQ035N03TR都是一个极具竞争力的选择。
RTQ035N03G
AO3400
SI2302
FDG330N
FDMC86284
