型号：RTQ035N03FRA
　　制造商：Richtek（立锜科技）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：约6.8A
　　脉冲漏极电流IDM：约27A
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：约3.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：约2.8mΩ
　　栅极电荷Qg typ：约8.5nC（@VDS=15V, ID=3.4A）
　　输入电容Ciss typ：约470pF
　　开启延迟时间td(on) typ：约5ns
　　关断延迟时间td(off) typ：约18ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN2.0x2.0-6

RTQ035N03FRA具备卓越的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性。在VGS=4.5V的工作条件下，RDS(on)最大值仅为3.5mΩ，这意味着在中等驱动电压下即可实现高效的电流传输，特别适用于由电池供电且依赖低功耗运行的移动设备。这种低RDS(on)有效减少了大电流通过时产生的焦耳热，提升了系统能效并降低了散热设计复杂度。同时，该器件采用了先进的沟槽栅结构，不仅提高了单位面积下的载流能力，还改善了跨导（gm）特性，使得器件在瞬态负载变化时响应更快，动态性能更优。
　　另一个关键特性是其优异的开关行为。RTQ035N03FRA的栅极电荷（Qg）典型值仅为8.5nC，这直接降低了驱动电路所需的能量消耗，尤其适合高频PWM控制环境下的快速切换操作。低Qg配合较小的输入电容（Ciss ≈ 470pF），使得器件能在数十kHz至数MHz范围内高效运作，满足现代高密度电源模块对高频化的需求。此外，其开启延迟时间短（约5ns）、关断延迟时间适中（约18ns），保证了精确的时序控制，避免了上下桥臂直通等风险，常用于同步整流拓扑中作为主开关管使用。
　　该MOSFET还具备良好的安全工作区（SOA）表现，能够在短时间内承受较高的电流冲击，例如启动过程中的浪涌电流或短路事件。内置的体二极管也经过优化，反向恢复时间较短，减少了反向恢复电荷（Qrr），从而降低EMI干扰和开关节点振铃现象。结合DFN2.0x2.0的小型化封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB布局实现有效的热传导，确保长期运行的可靠性。整体而言，RTQ035N03FRA是一款集低损耗、高效率、高集成度于一体的先进功率MOSFET，适用于追求极致能效与紧凑设计的现代电子系统。

RTQ035N03FRA广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。典型应用场景包括同步降压型DC-DC转换器，其中它常作为低边同步整流开关，利用其超低RDS(on)减少续流阶段的导通损耗，提高转换效率；也可用于升压或SEPIC拓扑中的主开关元件，支持宽输入电压范围下的稳定输出调节。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，该器件常被用作电池电源路径管理或负载开关，实现上电时序控制与过流保护功能。此外，其高电流承载能力和快速响应特性使其适用于电机驱动电路、LED背光驱动以及USB PD快充协议中的电源开关模块。工业领域中，该MOSFET可用于传感器供电控制、继电器替代方案及隔离式电源次级侧整流，提升系统响应速度与寿命。得益于其小型化封装和良好热性能，RTQ035N03FRA特别适合空间受限但对功率密度要求高的设计，是现代高效电源架构中的理想选择之一。

Si3456EDV-T1-GE3
　　FDMC86280