RTQ035N03 TR 时间：2025/11/8 6:07:05 阅读：7

RTQ035N03 TR是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热稳定性，适用于多种电源管理场景，包括同步整流、DC-DC变换器、负载开关和电机驱动等。RTQ035N03 TR封装在小型化的SOT-23-3L（或类似小尺寸表面贴装）封装中，具有良好的散热性能与空间利用率，适合对体积敏感的便携式电子设备使用。其额定电压为30V，能够承受一定的瞬态过压，并在宽温度范围内保持稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的可靠性要求。此外，该MOSFET具备低栅极电荷和低输入电容特性，有助于减少驱动损耗并提升系统整体能效。由于其出色的电气性能和紧凑的封装形式，RTQ035N03 TR广泛应用于笔记本电脑、移动电源、无线充电模块、LED驱动电路及各类电池供电设备中。

参数

型号：RTQ035N03 TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：6.8 A（@ 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：27 A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）：9 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：450 pF（@ VDS = 15 V）
　　输出电容（Coss）：150 pF
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：SOT-23-3L 或 PowerPAK SC-70-3

特性

RTQ035N03 TR采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而有效减小了导通状态下的功率损耗。这一特性使其在大电流应用场景下仍能保持较低的温升，提高了系统的能效和长期运行的可靠性。其超低的3.5mΩ导通电阻在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于需要高效能量转换的同步整流拓扑结构，如Buck转换器的下管或Boost电路中的续流路径。
　　该器件具备优秀的开关性能，得益于低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），能够在高频开关条件下实现快速的开启与关断，降低开关损耗，提升电源系统的整体效率。这对于现代高频率、高密度电源设计尤为重要，例如在便携设备中常见的同步降压变换器中，可以显著减少热量积累并提高响应速度。同时，较低的反向恢复时间（trr）也减少了体二极管在换流过程中的反向恢复电荷，进一步优化了动态性能，避免了不必要的电磁干扰（EMI）问题。
　　RTQ035N03 TR的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在严苛环境条件下依然能够稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路以及高温工作场合。器件还具备良好的抗雪崩能力和过压保护特性，在突发负载变化或电源波动时提供更高的鲁棒性。此外，其小型化封装不仅节省PCB空间，还通过优化引线布局降低了寄生电感，提升了高频工作的稳定性。综合来看，RTQ035N03 TR是一款兼顾高性能、高可靠性和紧凑尺寸的理想选择，尤其适合追求小型化与高效率并重的设计需求。

应用

RTQ035N03 TR广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，常见于同步整流型DC-DC降压变换器中作为下桥臂开关使用，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。它也被用于负载开关电路中，用于控制电源路径的通断，适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和穿戴设备中的电源管理模块。此外，在电池供电系统中，该MOSFET可用于防止反向电流流动或实现多电源之间的切换控制。其高电流承载能力也使其适用于小型电机驱动、LED恒流驱动电路以及USB供电路径管理等场景。由于其封装小巧且热性能良好，因此非常适合空间受限但对效率要求较高的消费类电子和工业控制设备。