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RTQ020N03 发布时间 时间:2025/5/30 14:23:02 查看 阅读:10

RTQ020N03是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,主要用于开关和功率管理应用。它采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适用于各种需要高效能和低损耗的电子设备。
  该器件广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  总电容:1650pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

RTQ020N03具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得其在高电流应用场景下能够显著减少功耗并提高效率。此外,它的快速开关性能可以降低开关损耗,提升系统整体效能。
  该MOSFET还具备较高的雪崩击穿能力,能够在异常条件下提供额外保护。同时,其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间,非常适合于对尺寸有严格要求的设计项目。
  由于采用了优化的内部结构设计,这款MOSFET在热性能方面表现优异,即使在高负载情况下也能保持稳定运行。

应用

RTQ020N03主要应用于需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 汽车电子中的电机驱动
  4. 工业自动化设备中的负载切换
  5. 笔记本电脑及平板充电器
  6. LED驱动电路
  7. 各种电池管理系统(BMS)

替代型号

IRFZ44N
  FDP5802
  STP20NF03

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