类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：6mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装尺寸：TO-220AB
　　功耗（Pd）：100W

RTG3506-2功率MOSFET具有多项优异特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件支持高达35A的漏极电流，适用于高功率负载的应用需求。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的热管理能力，能够在高功率操作下保持稳定的性能。封装设计也便于散热器的安装，进一步提高散热效率。
　　RTG3506-2的工作温度范围为-55°C至175°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行。这一特性对于工业设备、汽车电子和户外设备等应用场景尤为重要。
　　此外，该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了电路设计和控制。这种特性使得RTG3506-2可以与各种微控制器和驱动电路兼容，提高了系统的灵活性和可靠性。

RTG3506-2广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和稳压电源，提供高效能的功率转换。
　　2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动和伺服电机控制，实现精确的转速和扭矩调节。
　　3. 电池管理系统：在电池充电和放电保护电路中用作开关元件，提高系统的安全性和效率。
　　4. 工业自动化：用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业机器人和自动化设备中的功率控制。
　　5. 汽车电子：在车载充电系统、电动助力转向（EPS）和电池管理系统中发挥关键作用。
　　6. 消费类电子产品：如高性能电源适配器、UPS（不间断电源）和高功率LED照明系统。

RTG3506-2的替代型号包括SiHF35N60E和FDP35N60。