型号：RTE002P02FTL
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：-20V
　　最大栅源电压(VGSS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.6A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-9.2A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：27mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：410pF @ VDS = -10V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS = -10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS = -10V
　　栅极电荷(Qg)：5.8nC @ VGS = -4.5V
　　上升时间(tr)：13ns
　　下降时间(tf)：10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP-6
　　安装类型：表面贴装

RTE002P02FTL采用先进的沟槽型MOSFET结构，具有极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V时仅为22mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其非常适合用于对能效要求较高的便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源管理模块。低RDS(on)还能减少发热，提升系统热稳定性，避免因温度过高导致的性能下降或器件损坏。
　　该器件的栅极阈值电压Vth典型值为-0.8V，保证了在低电压逻辑信号下也能实现可靠导通，兼容1.8V、2.5V和3.3V逻辑电平控制系统，增强了与数字控制器的接口兼容性。同时，其较小的输入电容（Ciss = 410pF）和栅极电荷（Qg = 5.8nC）使得开关速度更快，驱动功耗更低，有利于高频PWM控制应用，如同步整流和快速响应的电源切换电路。
　　RTE002P02FTL具备出色的开关特性，上升时间tr为13ns，下降时间为10ns，表现出优异的动态响应能力。这使其能够在高速开关场合中有效减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，器件内部经过优化设计，具备良好的抗噪声干扰能力和EMI抑制性能，在复杂电磁环境下仍能稳定工作。
　　该MOSFET采用TSOP-6小型表面贴装封装，尺寸紧凑，便于高密度PCB布局，满足现代电子产品轻薄化、小型化的需求。封装材料符合无铅和无卤素要求，符合国际环保标准。同时，器件通过AEC-Q101认证，表明其在极端温度、湿度和机械应力条件下仍能保持长期可靠性，适用于汽车电子中的车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助电源系统等应用场景。

RTE002P02FTL广泛应用于需要高效电源管理的电子系统中，常见于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的电源开关与电池保护电路。其低导通电阻和快速开关特性也使其成为DC-DC转换器中理想的同步整流开关元件，可用于降压（Buck）变换器的上管或下管配置，尤其适用于低电压大电流输出的应用场景。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电管理、继电器驱动电路以及各类嵌入式控制器的电源路径控制。由于其具备良好的热稳定性和长期工作可靠性，也可用于医疗设备、测试仪器等对安全性要求较高的系统中。
　　在汽车电子方面，RTE002P02FTL可用于车载充电器、LED照明驱动、电动座椅控制、车窗升降器电源管理以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路。其通过AEC-Q101认证，确保在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定运行，适应车辆在极端气候条件下的使用需求。
　　此外，该MOSFET还可用于USB Type-C电源开关、热插拔控制器、过流保护电路和反接保护电路中，提供高效的电源通断控制和系统级保护功能，防止因误操作或故障引起的设备损坏。

RTR0202ZDS
　　DMG2302UK