输入电压范围：4.5V 至 23V
　　输出电压范围：0.76V 至 输入电压
　　最大输出电流：18A
　　开关频率：典型值 700kHz（可调）
　　反馈参考电压：0.76V ±1%
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：QFN-28
　　集成 MOSFET：上桥和下桥 MOSFET 集成
　　保护功能：过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）

RT917018GV 的核心特性之一是其高集成度，内置了上下桥 MOSFET，从而减少了外部元件数量，简化了电源设计。该芯片支持宽输入电压范围（4.5V 至 23V），适用于多种应用场景，如工业控制、通信设备、电池供电系统等。
　　该器件采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性。通过外接电阻可调节开关频率，使其适应不同的应用需求，同时有助于减少 EMI（电磁干扰）。RT917018GV 还支持轻载时的自动节能模式，以提高效率并降低待机功耗。
　　在保护功能方面，RT917018GV 提供了多重保护机制，包括过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）以及欠压锁定（UVLO），有效防止因异常工况导致的器件损坏，提升系统稳定性与安全性。
　　此外，RT917018GV 的反馈参考电压为 0.76V，精度为 ±1%，可提供高精度的输出电压调节。其封装形式为 QFN-28，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。

RT917018GV 主要应用于需要高效、稳定输出电压的 DC-DC 转换系统，常见于以下领域：
　　? 工业自动化设备
　　? 通信基础设施（如基站、光模块电源）
　　? 网络设备（如交换机、路由器）
　　? 服务器与嵌入式系统电源
　　? 电池供电设备
　　? 多通道电源管理系统

RT917012SP、RT917016GQ、RT917020GQ