型号：RT8H225C-T112
　　制造商：Richtek（立锜科技）
　　拓扑结构：同步降压（Buck）
　　输入电压范围：4.5V ~ 18V
　　输出电压范围：0.6V ~ 输入电压 - 0.2V（可调）
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：1.2MHz（固定）
　　控制方式：电流模式 PWM 控制
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C（结温）
　　静态电流：典型值 55μA（关断状态）
　　关机电流：<1μA
　　反馈参考电压：0.6V ±1%
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　封装类型：WDFN-10L（3mm x 3mm）
　　集成MOSFET：内置上管和下管同步整流MOSFET

RT8H225C-T112 采用先进的电流模式控制架构，具备快速瞬态响应能力和优异的负载调整率，能够有效应对输出负载突变带来的电压波动。其内部集成的高边和低边功率 MOSFET 经过优化设计，导通电阻低，显著降低了导通损耗，提升了整体转换效率，在满载条件下可达到 95% 以上的峰值效率。芯片支持宽输入电压范围（4.5V 至 18V），使其适用于多种供电场景，如 5V、12V 系统总线或多节锂电池供电应用。固定 1.2MHz 开关频率不仅有助于避免噪声干扰关键频段，还允许使用小体积的外部电感和陶瓷输出电容，进一步缩小 PCB 占地面积。该器件具备完善的保护功能，包括逐周期电流限制、打嗝模式过流保护、输出短路保护、过温自动关断以及输入欠压锁定（UVLO），确保在各种异常工况下可靠运行并防止损坏。此外，RT8H225C-T112 支持使能（EN）引脚控制，可通过外部逻辑信号实现软启动和电源时序控制，提升系统级电源管理灵活性。其反馈电压基准精度高达 ±1%，保证了输出电压的高度稳定性，适用于对电源精度要求较高的处理器、FPGA 或传感器供电场景。芯片还具备良好的轻载效率表现，通过脉冲跳跃模式（Pulse Skipping Mode）自动调节工作模式，在轻载或待机状态下显著降低功耗，延长电池续航时间。所有这些特性使得 RT8H225C-T112 成为高性能、高可靠性电源设计中的优选器件。
　　值得一提的是，该芯片在布局设计上充分考虑了热性能和电磁兼容性（EMC），WDFN 封装底部带有裸露焊盘，可通过 PCB 敷铜有效散热，提升长期工作的稳定性。同时，内部补偿电路简化了外部设计，大多数应用中无需额外添加复杂的环路补偿元件，降低了设计难度和物料成本。Richtek 提供完整的技术支持文档，包括数据手册、应用笔记和参考设计，帮助工程师快速完成产品开发和验证。

RT8H225C-T112 广泛应用于需要高效、紧凑型 DC-DC 电源解决方案的各类电子系统中。常见应用包括工业自动化控制系统中的模块化电源单元，用于为微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）和现场可编程门阵列（FPGA）提供核心电压；在消费类电子产品中，如智能家电、便携式医疗设备、无线路由器和机顶盒等，它可用于将 12V 或 5V 总线电压降至 3.3V、1.8V 或更低的核心逻辑电压。由于其宽输入电压范围和高输出电流能力，也适用于基于多节锂电池（如 3S 或 4S 锂电组）供电的移动设备电源管理。在网络通信设备中，RT8H225C-T112 可作为 PoE（以太网供电）系统的后级稳压器，为网络交换芯片或射频模块提供稳定的低压电源。此外，在汽车电子辅助系统（非车规级但可用于部分车载后装设备）中，该芯片也可用于将 12V 车载电源转换为低压直流电源。其高效率和小尺寸特性特别适合空间受限且对热管理有要求的应用场景。在测试测量仪器和嵌入式工控主板中，RT8H225C-T112 常被用作多路电源中的主路降压转换器，配合 LDO 实现多轨供电架构。得益于其出色的动态响应和低输出纹波性能，还可用于为高精度 ADC、DAC 或传感器模块供电，确保模拟前端的电源纯净度。总体而言，该器件适用于任何需要将中高压直流电源高效转换为稳定低压大电流输出的场合。

RT7282AGQW
　　MP2315DN-LF-Z
　　TPS54331DRCR
　　LM51640SQEVM
　　ISL8110IRZ