工作输入电压范围：85VAC ~ 265VAC
　　集成MOSFET耐压：650V
　　额定输出功率：≤ 30W
　　开关频率：典型值65kHz，可变频调制
　　控制模式：电流模式PWM，准谐振（QR）
　　启动时间：内置高压启动，典型值＜1s
　　待机功耗：＜75mW（满足六级能效标准）
　　反馈类型：原边反馈（PSR）或副边反馈（SSR）可选
　　电流检测方式：电阻采样，带前沿消隐
　　软启动：外部RC可调
　　封装形式：SOP-8 或 DIP-8（依具体版本而定）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　结温范围：-40°C ~ +150°C

RT26C2W501的核心特性之一是其采用的准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，该技术通过检测变压器退磁完成后的谷底电压点来触发MOSFET的导通，实现了零电压开关（ZVS），大幅降低了开关过程中的电压与电流交叠，从而显著减少了开关损耗。这种工作模式不仅提升了电源的整体转换效率，尤其是在轻载和满载条件下均表现出优异的能效表现，还有效抑制了高频开关噪声，降低了电磁干扰（EMI），使得系统更容易通过EMI认证测试。此外，QR模式能够动态调整开关频率，避免固定频率带来的音频噪声问题，在负载变化时保持安静运行，特别适用于对噪音敏感的应用环境，如家用电器和便携式设备充电器。
　　另一个关键特性是其高度集成的设计理念。RT26C2W501内部集成了650V耐压的功率MOSFET和高压启动电路，省去了传统方案中所需的外部启动电阻和辅助绕组供电电路，极大简化了外围电路设计，减少了元器件数量，提高了系统的可靠性并降低了生产成本。高压启动电路能够在交流输入接通后迅速为VCC电容充电，确保芯片在短时间内进入正常工作状态，同时支持外部软启动配置，允许设计者根据实际需求调节启动速度，防止输出电压过冲和输入电流冲击。
　　在保护功能方面，RT26C2W501提供了多层次的安全保障机制。芯片具备周期性过流保护（OCP）、过载保护（OLP）、输出过压保护（OVP）、VCC过压与欠压保护（UVLO）、以及精确的过温保护（OTP）。这些保护功能均具有自动恢复或锁闭模式可选，增强了系统的鲁棒性。特别是其内置的前沿消隐电路，可有效滤除电流检测信号中的尖峰干扰，防止误触发保护动作，提高系统稳定性。此外，芯片还支持原边反馈（PSR）架构，无需光耦和TL431即可实现精准的输出电压调节，进一步简化了隔离设计。

RT26C2W501广泛应用于多种低功率AC-DC电源转换场合，尤其适用于对效率、成本和体积有较高要求的消费类电子产品。典型应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携设备的USB充电器，其高集成度和高效率特性使得充电器可以做到更小、更轻，同时满足国际能效标准如DoE Level VI和EU CoC V5的要求。此外，该芯片也常用于智能家居设备的电源模块，例如智能插座、Wi-Fi路由器、IP摄像头、语音助手等，这些设备通常需要持续供电且对空载功耗极为敏感，而RT26C2W501出色的待机性能（低于75mW）正好满足此类需求。
　　在工业与医疗领域，RT26C2W501也被用于小型传感器供电、继电器驱动电源、LED照明驱动电源等非隔离或隔离式降压/反激电源设计中。由于其具备良好的动态响应能力和稳定的输出调节精度，能够在输入电压波动或负载突变时快速调整，确保后端电路稳定运行。同时，该芯片支持原边反馈（PSR）工作模式，可在不使用光耦的情况下实现±5%以内的输出电压精度，适用于对成本敏感但又需一定精度的低成本适配器设计。
　　此外，RT26C2W501还可用于家电控制板的辅助电源设计，例如微波炉、洗衣机、空调显示面板的供电单元。这类应用通常需要将市电直接转换为5V或3.3V直流电压供MCU和逻辑电路使用，RT26C2W501凭借其内置高压MOSFET和简化设计的优势，成为极具竞争力的解决方案。其宽温工作范围（-40°C ~ +125°C）也保证了在恶劣环境下的长期稳定运行。

RT7739C
　　RTQ2660AE
　　OB2283