型号：RT1N430C-T112-1
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（SBD）
　　封装/包：SC-76（SOD-323）
　　引脚数：2
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：520mV @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 30V
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +150℃
　　热阻（RθJA）：350℃/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30℃/85%RH）
　　无铅状态：符合RoHS指令，无铅且无卤素

RT1N430C-T112-1具备优异的电气性能和稳定性，其核心优势在于采用了肖特基势垒结构，使得该二极管拥有较低的正向导通压降，典型值仅为520mV，在100mA的工作电流下显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上）。这一特性有效降低了功耗，提升了系统效率，特别适用于电池供电设备中对能效要求较高的场景。同时，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的反向恢复时间（trr < 1ns），能够实现高速开关操作，适用于高频整流与信号处理电路。该器件的反向漏电流控制在合理范围内，最大为100μA（在30V反向电压下），虽然略高于普通PN结二极管，但在其额定工作条件下仍可接受。SC-76（SOD-323）封装尺寸紧凑，仅为2.0mm x 1.25mm x 1.1mm，有助于节省PCB空间并支持自动化贴片生产，提升组装效率。热阻参数为350℃/W，表明在自然对流条件下需注意散热设计以避免结温超限。该二极管经过严格的老化和可靠性测试，具备良好的高温稳定性和抗湿性，满足工业级应用需求。此外，产品采用编带包装（Tape and Reel），便于SMT产线自动送料，提高生产连续性和一致性。
　　RT1N430C-T112-1还具备出色的环境适应能力，工作结温范围从-55℃到+125℃，可在严苛的温度环境中稳定运行。其存储温度上限达150℃，增强了器件在运输和仓储过程中的耐受性。作为无铅产品，它符合当前环保法规要求，并支持回流焊工艺，兼容主流SMT流程。在电磁干扰（EMI）方面，由于其快速开关特性可能引起瞬态噪声，建议在敏感电路中配合使用滤波电容或磁珠进行抑制。总体而言，RT1N430C-T112-1是一款高性能、小体积、节能环保的表面贴装肖特基二极管，适用于现代电子设备对小型化和高效能的双重需求。

RT1N430C-T112-1广泛应用于各类消费类电子和通信设备中，主要用于电源路径管理、电压极性保护、高频整流及信号解调等功能。在移动设备如智能手机和平板电脑中，常被用作电池输入端的防反接保护二极管，防止因电池安装错误或外部电源反接导致的系统损坏。其低正向压降特性有助于减少能量损耗，延长电池续航时间。在DC-DC转换器电路中，该器件可用于续流二极管（Flyback Diode），在开关管关断时提供电感电流续流通路，保障电路稳定运行。此外，在USB接口、充电管理模块和LDO稳压器输出端，RT1N430C-T112-1可作为隔离二极管使用，防止多个电源之间的相互倒灌。在射频和无线通信模块中，得益于其快速响应能力，也可用于检波或信号包络检测。由于其封装小巧，非常适合用于蓝牙耳机、智能手表、物联网传感器节点等空间受限的产品设计中。工业控制领域中，该二极管可用于PLC输入信号调理电路中的钳位与保护。在LED驱动电路中，可用于防止反向电压冲击造成LED损坏。另外，因其良好的高频特性，也适用于开关电源次级侧的同步整流辅助电路或高频AC-DC适配器中的整流桥臂元件。总之，RT1N430C-T112-1凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，成为众多低电压、小电流应用场景中的优选方案。

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