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RT1C060UNTR 发布时间 时间:2025/11/7 21:27:00 查看 阅读:8

RT1C060UNTR是一款由Richtek(立锜科技)推出的高性能同步降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效、紧凑电源解决方案的便携式电子设备和嵌入式系统中。该芯片采用电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,同时提供精确的输出电压调节。其内部集成了高边和低边功率MOSFET,减少了外部元件数量,简化了电路设计,并提高了整体效率。RT1C060UNTR采用小型化封装(如DFN),非常适合对空间要求严苛的应用场景。该器件具备多种保护功能,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在异常条件下仍能安全运行。此外,它支持可调输出电压或固定输出电压配置,通过外部电阻分压网络灵活设定输出电压值,适用于为微处理器、传感器、FPGA、ASIC等供电。得益于其高开关频率(通常可达数MHz),可以使用小型电感和陶瓷电容,进一步缩小整体电源模块尺寸。RT1C060UNTR还优化了轻载效率,支持脉冲跳跃模式或省电模式,在低功耗应用中显著延长电池寿命。

参数

型号:RT1C060UNTR
  制造商:Richtek(立锜科技)
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 15V(可调)
  最大输出电流:6A
  开关频率:典型值 600kHz 可调,最高支持至2MHz
  控制模式:峰值电流模式控制
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温)
  静态电流:典型值 45μA(关断模式下更低)
  关断电流:小于1μA
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  占空比范围:0% 至 100%
  封装形式:DFN-10L(3mm x 3mm)
  集成MOSFET:内置上管与下管同步整流
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输出短路保护(SCP)、欠压锁定(UVLO)

特性

RT1C060UNTR的特性之一是其高效的同步整流架构,内置低导通电阻的上下管MOSFET,显著降低了传导损耗,提升了转换效率,尤其是在中高负载条件下表现优异。该芯片采用峰值电流模式控制,具备快速的瞬态响应能力,能够有效应对负载突变,保持输出电压稳定。其可调节的开关频率允许用户根据EMI要求和效率目标进行优化设计,支持高达2MHz的开关频率,使得外部磁性元件尺寸得以大幅缩小,有利于实现高密度电源布局。
  另一项关键特性是其全面的保护机制。芯片内建逐周期电流限制功能,可在输出过载或短路时迅速切断输出,防止损坏。当发生持续过流或温度过高时,热关断电路会自动启动,关闭芯片直至温度恢复正常。此外,RT1C060UNTR具备软启动功能,通过内部或外部电容控制启动时间,避免启动瞬间产生过大的浪涌电流,从而保护输入电源和后级电路。
  该器件还针对轻载效率进行了优化,支持自动进入脉冲跳跃模式(PSM),在低负载情况下降低开关频率以减少开关损耗,提高能效。这种工作模式特别适合电池供电设备,有助于延长续航时间。其精确的0.8V基准电压源具有±1%的精度,确保输出电压的高度稳定性,满足精密供电需求。DFN封装不仅体积小巧,而且具有良好的热性能,可通过PCB散热焊盘有效导出热量,提升长期工作的可靠性。

应用

RT1C060UNTR广泛应用于各类需要高效、小体积电源解决方案的场合。常见于工业自动化设备中的分布式电源系统,用于将12V或24V总线电压降至核心处理器、FPGA或ADC/DAC所需的低压电源轨。在通信设备中,如路由器、交换机和光模块,它可用于为PHY芯片或信号调理电路提供稳定的电源。消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、平板电脑和智能家居控制器,也常采用该芯片作为主电源或辅助电源模块。
  由于其宽输入电压范围和高输出电流能力,RT1C060UNTR适用于由适配器或电池供电的设备,例如POS终端、医疗便携设备和测试仪器。在汽车电子领域,尽管需配合额外防护电路使用,但也可用于车载信息娱乐系统或ADAS模块的非直接电池连接电源层级。此外,该芯片适用于FPGA和DSP等复杂IC的多路供电系统中的中间电压转换级,配合LDO实现多电压域供电。其高集成度和高可靠性使其成为替代传统线性稳压器或分立式 buck 电路的理想选择,尤其在追求小型化和高能效的设计中表现出色。

替代型号

RTQ2021GQW, RTQ2965E

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RT1C060UNTR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥1.75963卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28 毫欧 @ 6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)870 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)650mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-TSST
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线