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RT1A050ZPTR 发布时间 时间:2025/5/7 16:51:29 查看 阅读:10

RT1A050ZPTR是由Rohm公司生产的一款肖特基二极管,该器件采用SOD-323封装形式。由于其低正向电压降和快速的开关特性,RT1A050ZPTR在高频和高效率电路中表现出色。它通常被应用于电源管理、开关电源、逆变器、DC-DC转换器等场景。

参数

最大正向电流:1A
  峰值反向电压:50V
  正向电压(IF=1A):0.47V
  反向漏电流(VR=50V, Tj=25℃):0.1μA
  结电容:4pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

RT1A050ZPTR具有非常低的正向压降,这使得它在功率转换应用中能够显著减少功耗并提高效率。
  该器件的快速恢复时间使其非常适合高频电路设计。
  此外,它的高可靠性与宽温度范围确保了其能够在极端环境下稳定运行。
  SOD-323封装体积小且易于安装,适合紧凑型设计需求。
  由于采用了肖特基结构,RT1A050ZPTR在反向偏置时表现出极低的漏电流,从而提高了整体系统性能。

应用

RT1A050ZPTR广泛用于各种电力电子设备,包括但不限于:
  1. 开关电源中的整流功能。
  2. DC-DC转换器中的续流二极管。
  3. 电池充电保护电路。
  4. 通信设备及消费类电子产品中的高效能量传输。
  5. 太阳能微逆变器及其他可再生能源相关产品中的关键组件。

替代型号

RB1050T
  SS14
  1SS395B

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RT1A050ZPTR参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2800pF @ 6V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSST
  • 供应商设备封装TSST8
  • 包装带卷 (TR)