时间：2025/7/1 6:29:22
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RT15N7R0D500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种高效能要求的应用场景。此型号通常应用于电源管理、电机驱动、负载切换等电路中，能够提供稳定的性能表现。
该器件的主要特点是其较低的 Rds(on)（导通电阻），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其优化的封装设计也增强了散热能力，使得该器件能够在较高温度环境下持续工作。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：5.6A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：23nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55℃至175℃
RT15N7R0D500CT 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)）：在典型条件下，导通电阻仅为 45mΩ，从而有效降低功耗并提升整体效率。
2. 高电流处理能力：连续漏极电流可达 5.6A，确保了在大电流应用中的可靠性。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（23nC）使其具备快速的开关特性，适用于高频开关应用。
4. 良好的热稳定性：采用 TO-252 封装，具备优秀的散热性能，支持长时间稳定运行。
5. 宽温工作范围：可在 -55℃ 至 175℃ 的温度范围内正常工作，适应多种恶劣环境条件。
RT15N7R0D500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他电机控制电路中的功率级驱动。
3. 电池管理系统（BMS）：作为负载开关或保护开关使用。
4. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口等电路中的功率开关。
5. 汽车电子：包括车身控制模块、照明系统以及电动助力转向系统的功率控制部分。
RT15N7R0DP500CT, IRF7404, FDN338P
