时间：2025/6/11 23:04:19
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RT15N4R7C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于多种开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用场合。其低导通电阻特性有助于提高效率并降低功耗。
这款功率 MOSFET 具有良好的开关性能和耐热能力，能够满足工业及消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：39A
导通电阻：4.7mΩ
总栅极电荷：37nC
输入电容：1200pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
RT15N4R7C500CT 的主要特点是其低导通电阻 (4.7mΩ)，这使得在高电流应用中能够显著减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
此外，该器件的总栅极电荷较低 (37nC)，确保了较快的开关速度，并降低了开关损耗。
其封装形式 TO-263 提供了优秀的散热性能，适合用于紧凑型设计。
该器件还具有较高的雪崩击穿能量承受能力，增强了系统的鲁棒性。
RT15N4R7C500CT 广泛应用于各类功率转换电路中，例如开关模式电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS)、电机驱动器等。
在汽车电子领域，该器件可用于负载开关、LED 驱动器和电动助力转向系统 (EPS) 等。
另外，在工业自动化和消费类电子产品中，它也可以作为功率开关或保护电路的一部分。
RT15N4R8C500CT, IRFZ44N, FDP55N10
