时间：2025/12/25 7:05:33
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RT001823PN03 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合高频率开关应用。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：5.2A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：23mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：33mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
功率耗散（Pd）：2.5W
RT001823PN03 MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使其在低电压应用中表现出色。其低Rds(on)特性显著降低了导通损耗，提高了整体能效。该器件支持较高的开关频率，适用于高效DC-DC转换器和同步整流器设计。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和消费类电子应用。
其栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V之间的驱动电压，兼容多种控制器和驱动IC。TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保在高电流应用下的可靠性。RT001823PN03还具备良好的抗静电能力（ESD）和过热保护能力，进一步增强了系统的稳定性与安全性。
RT001823PN03常用于各类电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块。此外，它也适用于电机控制、LED驱动、电池充电管理以及工业自动化设备中的功率开关应用。其优异的导通特性和封装设计使其成为高性能、紧凑型电源设计的理想选择。
RT001823PN03的替代型号包括RT001823GSP和Si2302DS。
