型号：RSS125N03FD5TB
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)@25°C：125A
　　最大连续漏极电流(ID)@100°C：76A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：340A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：典型值4.5mΩ，最大值5.3mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：典型值5.8mΩ，最大值7.0mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：典型值55nC
　　输入电容(Ciss)：典型值2350pF
　　输出电容(Coss)：典型值580pF
　　反向恢复时间(trr)：典型值25ns
　　阈值电压(Vth)：典型值1.5V，范围1.2V~2.3V
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L DFN

RSS125N03FD5TB采用瑞萨先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在高频开关应用中表现出色。其超低的RDS(on)值在VGS=10V时仅为5.3mΩ（最大值），确保了在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提高电源系统的整体效率。该器件的栅极电荷Qg仅为55nC（典型值），配合较低的输入电容Ciss（2350pF），可大幅减少驱动电路的能量消耗，特别适合用于高频率工作的同步降压转换器或半桥拓扑结构。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于PowerPAK SO-8L DFN封装的双漏极设计，增强了PCB的散热路径，提升了功率密度。这种封装还减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提升系统EMI表现。此外，器件具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr=25ns），使得体二极管在续流过程中能量损耗更小，在硬开关和ZVS软开关电路中均能实现更高的可靠性。
　　器件的阈值电压适中，典型值为1.5V，能够在逻辑电平信号下可靠开启，兼容3.3V或5V驱动器。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更强的抗干扰能力和使用安全性。产品经过严格的可靠性测试，支持-55°C至+150°C的工作结温范围，适用于严酷环境下的工业控制、汽车电子和通信电源等领域。整体而言，RSS125N03FD5TB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，兼顾低损耗、高效率与紧凑布局需求。

RSS125N03FD5TB广泛应用于各类高效电源转换系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压转换器，尤其是在服务器主板、GPU供电、FPGA核心电压调节等多相VRM架构中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率并降低温升。该器件也常用于电池供电设备中的负载开关，如笔记本电脑、平板和移动终端，用于控制电源通断，减少待机功耗。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供高电流输出能力与快速响应。此外，它还可用于热插拔控制器、电源分配单元（PDU）、USB PD快充适配器以及便携式储能设备中的功率切换模块。由于其良好的热性能和小型化封装，特别适合高功率密度设计，例如车载信息娱乐系统电源、工业传感器供电模块以及通信基站的辅助电源系统。总之，任何需要高效、紧凑且可靠的大电流开关解决方案的场合，都是RSS125N03FD5TB的理想选择。

SiR125DP-T1-E3
　　IRLR325N
　　AOB125N03S