型号：RSS100N03FU6TB
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：30 V
　　最大栅源电压(VGSS)：±20 V
　　连续漏极电流(ID) @25°C：100 A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：400 A
　　导通电阻(RDS(on))_max @ VGS=10V：0.78 mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max @ VGS=4.5V：1.0 mΩ
　　栅极电荷(Qg) typ @10V：60 nC
　　输入电容(Ciss) typ @ VDS=15V：4200 pF
　　反向恢复时间(trr)：27 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55 至 150 °C
　　封装类型：WPAK (LFSP4)
　　安装方式：表面贴装

RSS100N03FU6TB采用ROHM先进的Trench MOSFET结构技术，实现了超低导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其典型导通电阻在VGS=10V时仅为0.78mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得器件在大电流应用中能够大幅减少传导损耗，提升能源利用效率。该器件的低Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）特性进一步优化了动态损耗，使其非常适合高频开关电源设计，如同步降压变换器或多相VRM电路。同时，较低的反向恢复时间trr意味着体二极管具有更快的响应速度，有助于减少开关过程中的交叉导通风险和电磁干扰问题。
　　该MOSFET的WPAK (LFSP4) 封装是一种无引线扁平封装，底部带有大面积裸露焊盘，可直接连接到PCB的热焊盘上，极大增强了热传导能力，有效控制结温上升。相较于传统TO-252或DPAK封装，WPAK在保持相同甚至更高电流处理能力的同时，显著减小了占用面积，有利于实现高密度PCB布局。此外，该封装支持回流焊工艺，兼容自动化SMT生产线，提升了制造效率和可靠性。器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，确保在异常工况下仍能维持稳定运行。
　　为了保证长期使用的可靠性，RSS100N03FU6TB经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验等。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境下稳定工作，适用于工业级和消费级双重应用场景。内置的静电放电（ESD）保护也提高了器件在装配和使用过程中的安全性。总体而言，这款MOSFET结合了高性能、小型化和高可靠性的特点，是现代高效电源系统中的理想选择。

RSS100N03FU6TB主要用于需要高电流、低损耗和小尺寸封装的电源管理系统。典型应用包括大电流DC-DC降压转换器，尤其是在服务器、通信设备和高端计算平台中的多相供电单元中作为上下桥臂开关使用。由于其极低的RDS(on)，它也非常适用于同步整流拓扑，在AC-DC适配器、USB PD快充电源和POL（Point-of-Load）转换器中发挥关键作用。此外，该器件常用于电池供电系统的负载开关或热插拔控制电路，以实现高效的电源通断管理和过流保护功能。
　　在电动工具、无人机和便携式医疗设备等依赖锂电池供电的应用中，RSS100N03FU6TB可用于电池保护电路中的充放电通路控制，凭借其低导通压降减少发热，延长电池续航时间。它还可作为电机驱动电路中的功率开关元件，驱动小型直流电机或步进电机。在汽车电子领域，尽管不属于AEC-Q101认证器件，但在非安全相关的车载辅助电源模块中也有一定应用潜力，例如车载信息娱乐系统的电压调节模块。
　　此外，该MOSFET适用于各种高密度电源模块设计，特别是在追求小型化和轻量化的移动终端设备中，如智能手机和平板电脑中的电源管理IC外围配套开关。其高频开关能力也使其成为无线充电发射端或接收端电源路径管理的理想组件。总的来说，只要涉及30V以下电压等级、要求高效率和紧凑布局的功率开关场合，RSS100N03FU6TB都具备出色的适用性。

RJK0851DPB
　　RJK0952DPB
　　SiR110DP
　　FDMS86260