时间：2025/6/19 13:10:02
阅读：2
RSS070N05TB1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 技术，能够提供低导通电阻和高开关速度，适合用于高频开关应用。其封装形式为 LFPAK88，是一种超薄型表面贴装封装，具有良好的散热性能。
这款 MOSFET 主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备中的 DC-DC、负载开关等领域。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：23nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK88
RSS070N05TB1 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 1.4mΩ，这显著降低了导通损耗并提高了效率。
其次，其具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这有助于实现更快的开关速度，并减少开关损耗。
此外，该器件的工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +175℃，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
最后，LFPAK88 封装提供了出色的热性能和电气性能，同时支持自动化的表面贴装工艺，便于大规模生产。
RSS070N05TB1 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景中，例如：
1. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压和反激式拓扑。
2. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
3. 高效电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 开关模式电源（SMPS）设计。
5. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
6. 通信设备中的功率级管理。
IRF7719PbF, BSC070N06LS G
