RSR025N03TL
时间:2023/5/24 14:08:04
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概述
制造商:ROHMSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.83Ohms
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:20V
漏极连续电流:2.5A
功率耗散:1W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSMT-6
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
StandardPackQty:3000
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- RSR025N03TL
- 深圳斯普仑科技有限公司
- 5000
- ROHM
- -/NCHANFET+ESD 30V 25A TSMT3
-
RSR025N03TL参数
- 产品培训模块MOSFETs
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs4.1nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds165pF @ 10V
- 功率 - 最大1W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装TSMT3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称RSR025N03TL-NDRSR025N03TLTR