时间：2025/6/22 14:39:14
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RSR025N03是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关等电路中，具备低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点。这种MOSFET通常用于需要高效功率转换和低功耗的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：46nC
开关时间：开启延迟时间：9ns，上升时间：8ns，关断延迟时间：27ns，下降时间：12ns
RSR025N03具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，能够减少功率损耗并提高效率。
其快速的开关速度使其非常适合高频开关应用，如开关电源和电机驱动器。
此外，由于采用了先进的制造工艺，该器件具有较高的可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能不变。
RSR025N03广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流开关。
2. DC-DC转换器中的高侧或低侧开关。
3. 负载开关，用于控制不同负载的供电状态。
4. 电机驱动器中的功率级开关。
5. 电池保护电路，防止过充或过放。
6. 各种工业自动化和汽车电子系统中的功率管理模块。
IRLR7843, AO3400
