型号：RSN35H2B
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：90A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.4mΩ（@VGS=10V, ID=45A）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（@VGS=4.5V, ID=30A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷（Qg）：75nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：4000pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：1100pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8 Power Package
　　安装类型：表面贴装（SMD）

RSN35H2B采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为2.4mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适用于大电流应用场景，如服务器电源、电池管理系统和电动工具驱动电路。其低RDS(on)特性还能有效降低温升，延长系统寿命并减少散热设计复杂度。器件具备优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使得在高频开关应用中能够显著降低动态损耗，提高电源转换效率。此外，RSN35H2B的阈值电压范围适中，确保了在逻辑电平驱动下也能实现可靠导通，兼容常见的PWM控制IC输出信号。该MOSFET还具备良好的热稳定性，芯片结到外壳的热阻（RθJC）较低，配合SOP-8封装的裸露焊盘设计，可实现高效的热量传导至PCB，进一步提升功率处理能力。器件经过严格的质量测试，具备高可靠性和长期稳定性，适用于工业级应用环境。RSN35H2B还具备一定的抗雪崩能力，能够在电压瞬态过冲或感性负载切换过程中提供额外的安全裕度，减少因电压击穿导致的失效风险。所有这些特性共同使RSN35H2B成为高性能功率开关应用中的理想选择。
　　此外，RSN35H2B在制造过程中遵循严格的工艺控制和可靠性验证流程，确保每批次产品的参数一致性，有利于大规模生产的良率控制。其符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代电子产品对环保和可持续发展的需求。器件的引脚布局经过优化，有助于减少寄生电感，提升高频下的开关表现。在同步整流、负载开关、热插拔控制器等应用中，RSN35H2B能够提供快速响应和低静态功耗的优势。由于其出色的电气和热性能，该MOSFET也被广泛用于笔记本电脑适配器、便携式设备电源管理单元以及电信基础设施中的DC-DC模块。总体而言，RSN35H2B凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优良的开关特性和稳健的封装设计，在竞争激烈的功率MOSFET市场中占据重要地位。

RSN35H2B主要用于高效率、大电流的功率转换和开关控制场合。典型应用包括但不限于：同步整流型DC-DC降压变换器，在此类电路中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提升转换效率；在电池供电设备中，如电动工具、无人机和便携式医疗设备，用于电池保护电路或主开关元件，实现低功耗运行和长续航能力；在服务器和通信电源系统中，作为多相VRM（电压调节模块）的一部分，承担大电流输出任务，确保CPU或GPU获得稳定供电；在电机驱动电路中，特别是在BLDC（无刷直流电机）控制器中，RSN35H2B可用于桥式拓扑结构中的开关元件，提供快速响应和低发热表现；此外，该器件也适用于热插拔控制器、负载开关和OR-ing二极管替代方案，利用其可控导通特性替代传统二极管，大幅降低压降和功耗。在LED驱动电源、逆变器和UPS不间断电源系统中，RSN35H2B同样可以发挥其高效率优势。由于其SOP-8封装便于自动化生产和回流焊工艺，因此非常适合现代高密度PCB设计需求。

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　　 "RSN35H2D",
　　 "IPD95N03L",
　　 "IRLHS3442",
　　 "AOZ5311N",
　　 "SiSS102DN"
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