RSJ400N10FRA 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的N沟道功率MOSFET,专为高电流、高效率的功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于如DC-DC转换器、电源管理系统以及电机控制等高功率场景。RSJ400N10FRA采用高性能封装技术,能够有效散热,确保在高负载条件下的稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
漏极电流(Id):40A(连续)
Rds(on):最大值为2.9mΩ(典型值为2.5mΩ)
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:PowerPAK SO-8双封装
功率耗散:125W
RSJ400N10FRA 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,该器件支持高达40A的连续漏极电流,能够在高负载条件下稳定工作。其沟槽栅极结构优化了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频操作环境。
该MOSFET采用瑞萨先进的封装技术,具备良好的热管理能力,确保在高功率密度应用中的可靠性。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于严苛的工业和汽车环境。另外,RSJ400N10FRA的栅极驱动电压范围为±20V,使其兼容多种常见的栅极驱动电路,增强了设计的灵活性。
该器件还具备良好的短路耐受能力,提升了系统在异常情况下的稳定性。通过优化的硅片设计,RSJ400N10FRA在硬开关和软开关条件下均表现出色,适合用于各种拓扑结构,如同步整流、半桥和全桥变换器。
RSJ400N10FRA 广泛应用于需要高效能功率转换的各类电子系统中。典型应用包括高性能DC-DC转换器、服务器电源、电动工具、工业电机驱动、电池管理系统(BMS)以及车载充电系统。由于其优异的热性能和电气性能,该器件也常用于高功率密度电源模块和不间断电源(UPS)系统中。
SiR142DP-T1-GE3, IPW60R028C7, FDP40N10