时间：2025/9/3 19:33:09
阅读：22
RSJ400N10FRA 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高电流、高效率的功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于如DC-DC转换器、电源管理系统以及电机控制等高功率场景。RSJ400N10FRA采用高性能封装技术，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：40A（连续）
Rds(on)：最大值为2.9mΩ（典型值为2.5mΩ）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
功率耗散：125W
RSJ400N10FRA 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达40A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作。其沟槽栅极结构优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。
该MOSFET采用瑞萨先进的封装技术，具备良好的热管理能力，确保在高功率密度应用中的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。另外，RSJ400N10FRA的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种常见的栅极驱动电路，增强了设计的灵活性。
该器件还具备良好的短路耐受能力，提升了系统在异常情况下的稳定性。通过优化的硅片设计，RSJ400N10FRA在硬开关和软开关条件下均表现出色，适合用于各种拓扑结构，如同步整流、半桥和全桥变换器。
RSJ400N10FRA 广泛应用于需要高效能功率转换的各类电子系统中。典型应用包括高性能DC-DC转换器、服务器电源、电动工具、工业电机驱动、电池管理系统（BMS）以及车载充电系统。由于其优异的热性能和电气性能，该器件也常用于高功率密度电源模块和不间断电源（UPS）系统中。
SiR142DP-T1-GE3, IPW60R028C7, FDP40N10
