时间：2025/6/20 14:19:03
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RSH100N03TB是一款基于沟槽MOSFET技术的N通道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源转换、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够在高频和高电流应用中提供卓越的效率表现。
该MOSFET采用TO-252 (DPAK) 封装形式，适合表面贴装工艺，有助于实现更高的系统集成度和更紧凑的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：65nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=18ns（典型值）
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
RSH100N03TB具备极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升整体系统的效率。其快速开关特性使其非常适合高频开关应用，并且能够有效减少开关过程中的能量损失。
该器件还具有优异的热性能和耐用性，能够承受较高的结温和瞬态电流冲击。此外，内置的ESD保护电路提升了器件在严苛环境下的可靠性。
其小尺寸封装使得PCB布局更加灵活，同时降低了寄生电感的影响，进一步优化了开关性能。
RSH100N03TB适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器和电机驱动
- 工业自动化设备中的负载切换
- 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统
- 高效DC-DC转换器
- 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品
IRLZ44N
AO3400
FDP18N03L
