型号：RSH070P05
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　连续漏极电流（ID）：-7A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-28A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：7.0mΩ（@VGS=-10V）；8.5mΩ（@VGS=-4.5V）；10.5mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压VGS(th)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容Ciss：1390pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：470pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：50pF @ VDS=15V
　　栅极电荷Qg：16nC @ VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间trr：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HSON-8 (PowerFLAT 3.3x3.3)

RSH070P05采用先进的沟道设计与优化的硅工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在不同栅极驱动电压下均表现出色。当VGS=-10V时，其典型RDS(on)仅为7.0mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。这一特性使其特别适用于大电流开关应用，如电池供电系统的负载开关或同步整流环节。由于是P沟道结构，在高端开关配置中无需额外的电荷泵电路即可实现完整的栅极驱动，简化了外围设计并节省PCB空间。
　　该器件具有出色的动态性能，输入电容Ciss为1390pF，反向传输电容Crss仅为50pF，有助于减少高频开关过程中的能量损耗和噪声干扰。较低的Crss还能有效抑制米勒效应，提高开关稳定性，避免误触发。同时，其栅极电荷Qg仅16nC（@VGS=10V），意味着驱动电路所需提供的能量较少，进一步降低了驱动损耗，有利于提升轻载效率。
　　RSH070P05还具备良好的热管理能力，得益于HSON-8 PowerFLAT封装的优异散热性能，即使在高功率密度环境下也能维持较低的工作温度。该封装尺寸紧凑（3.3×3.3mm），支持表面贴装，非常适合对空间敏感的便携式电子产品。器件的体二极管反向恢复时间trr为28ns，属于较快水平，可在某些非理想关断条件下快速截止反向电流，减少反向恢复损耗和电压尖峰风险。
　　此外，RSH070P05拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），确保其在极端环境条件下依然可靠运行。它还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换时的鲁棒性。所有参数均经过严格测试，并保证在全生命周期内保持一致性，适用于工业级和消费类应用场景。

RSH070P05广泛用于需要高效能P沟道MOSFET的电源管理系统中。典型应用包括移动设备中的电池电源开关，用于控制主电源路径以实现待机模式下的低功耗管理；也可作为DC-DC降压变换器中的高端开关，配合控制器完成电压调节功能。由于其低RDS(on)和免电荷泵驱动的优势，常被选用在单节或双节锂电池供电的产品中，例如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备和无线耳机充电盒等。
　　在工业领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电控制、电机驱动保护电路以及各类嵌入式控制系统中的电源隔离与分配。其高可靠性与宽温工作能力使其适应严苛环境下的长期运行需求。此外，RSH070P05也适用于LED背光驱动电路中的电流切换控制，利用其快速响应特性实现精确调光。在USB PD快充协议相关的电源路由设计中，该MOSFET可担任VBUS开关角色，安全地接通或断开输出电压，防止短路或过流故障蔓延。
　　由于封装小巧且热性能优越，RSH070P05特别适合高度集成化的主板设计，尤其是在超薄笔记本电脑和可穿戴设备中作为电源多路复用器的关键组件。通过与其他MOSFET或电源管理IC协同工作，能够构建灵活的电源架构，支持多种输入源（如AC适配器、USB-C、电池）之间的无缝切换。总之，RSH070P05凭借其综合性能优势，在现代低电压、高效率电源设计中扮演着不可或缺的角色。

RSH070N03, RSH075P03, Si4437DY, FDMS7680, CSD17570Q5B