RSH070N05TB 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET。该器件采用沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 50V,并能在较高的电流条件下运行,适合于需要高效能和低损耗的应用场景。
型号:RSH070N05TB
类型:N-Channel MOSFET
制造商:Infineon Technologies
VDS(漏源极击穿电压):50 V
RDS(on)(导通电阻,典型值,在特定条件下):0.7 mΩ
ID(连续漏极电流):143 A
Qg(总栅极电荷):68 nC
EAS(雪崩能量):2.27 J
封装形式:TO-247-3
RSH070N05TB 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关性能,能够降低开关过程中的能量损失。
3. 较高的电流处理能力,使得该器件适用于大功率应用场景。
4. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
5. 内置 ESD 保护功能,增强器件的可靠性和抗静电能力。
6. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下的鲁棒性。
RSH070N05TB 广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动器
2. 开关电源(SMPS)
3. DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车和混合动力汽车的功率控制模块
6. UPS(不间断电源系统)
其强大的电流承载能力和高效的功率传输特性使其成为上述领域的理想选择。
RSP070N05T4
RFP070N05T4
IPW70R070C6