时间：2025/6/7 14:48:28
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RSH065N06TB是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升电路效率并降低功耗。
该MOSFET的额定电压为60V，适用于中低压应用场景，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：18nC
开关时间：ton=9ns, toff=16ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为4.5mΩ，从而减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，栅极电荷较小（18nC），有助于提高效率并降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品要求。
5. 采用TO-263封装，便于散热和安装，适合多种PCB设计需求。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 汽车电子系统中的负载控制。
5. 电池保护和充电管理电路。
6. 各类工业设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP60NF06
FDP6700
