型号：RSH065N03TB
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：65A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：200A
　　最大导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：6.5mΩ
　　最大导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：8.5mΩ
　　栅极电荷（Qg typ）：19nC
　　输入电容（Ciss typ）：1200pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20ns
　　反向恢复时间（trr typ）：20ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L（Dual Cool）

RSH065N03TB采用高性能沟槽栅极MOSFET工艺，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，实现了极低的RDS(on)，在VGS=10V时典型值可低至6.5mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。这种低导通电阻特性特别适用于大电流应用场景，例如同步整流、电池供电设备中的电源开关以及工业控制中的电机驱动电路。
　　该器件的另一个关键优势是其双面散热封装设计。PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还能通过顶部和底部金属焊盘将热量高效传导至PCB，极大增强了热耗散能力。相比传统单面散热封装，这种结构显著降低了热阻（ΘJA），使器件即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而提高了长期运行的可靠性。
　　此外，RSH065N03TB具备优异的开关性能，拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得它在高频开关应用中表现突出，例如在高频率DC-DC降压或升压转换器中，能够减少驱动损耗并加快开关响应速度，进而降低动态功耗。同时，其较快的反向恢复时间（trr ≈ 20ns）也减少了体二极管在换流过程中的能量损失，进一步提升了效率。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定程度的自我保护。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于严苛的工业和汽车级环境。综合来看，RSH065N03TB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，非常适合对效率、尺寸和热管理有严格要求的设计需求。

RSH065N03TB广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。常见用途包括但不限于：同步整流型DC-DC降压转换器（Buck Converter），特别是在服务器电源、笔记本电脑主板及通信设备电源模块中作为高侧或低侧开关使用；电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，利用其低导通电阻以减少能量损耗并延长续航时间；电机驱动电路，用于驱动直流电机或步进电机的H桥拓扑结构中，实现精确的速度和方向控制；热插拔控制器和负载开关电路，凭借其快速响应能力和高电流承载能力，确保系统在带电插拔时的安全性和稳定性。
　　此外，该器件也常用于电源分配网络（PDN）中的功率路由，例如在多路电源选择或多负载供电架构中作为主控开关元件。由于其优异的热性能和小型化封装，RSH065N03TB特别适合空间受限但功率密度要求高的便携式电子产品，如移动电源、智能手持设备和无人机电源系统。在工业自动化领域，它可用于PLC模块、传感器供电单元和执行器驱动电路中，提供稳定可靠的功率控制。同时，在汽车电子系统中，尽管非车规级版本不适用于ASIL安全等级应用，但仍可用于车载信息娱乐系统、辅助电源轨等非关键性电源管理场合。总之，凡是对导通损耗、开关速度和散热性能有较高要求的低压大电流开关应用，RSH065N03TB均是一个极具竞争力的选择。

RSH045N03TB
　　IPD95R037P
　　AOZ6351AI