时间：2025/6/16 23:19:13
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RSD6368FT是一种高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效率和低导通损耗的应用场景。它具有较低的导通电阻以及较高的击穿电压，能够承受较大的电流和瞬态电压冲击。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：14mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：1050pF
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃至+175℃
RSD6368FT具有出色的电气性能，其主要特点如下：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备良好的耐用性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 具有优异的热稳定性，能够在极端温度环境下可靠运行。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
RSD6368FT适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器及工业电源。
2. 直流/直流转换器中的同步整流。
3. 各类电机驱动控制，例如家用电器、电动工具等。
4. 电池管理系统的充放电保护。
5. UPS不间断电源与光伏逆变器。
RSD6370FT, IRF640N
