型号：RSD175N10FRA
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：175 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：700 A
　　最大导通电阻（RDS(on) max）：1.75 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 87.5 A
　　导通电阻典型值（RDS(on) typ）：1.5 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：16000 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：950 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　二极管正向压降（VSD）：1.2 V @ IS = 175 A
　　最大功耗（PD）：350 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 ~ +175 °C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

RSD175N10FRA采用了瑞萨电子先进的沟槽栅极MOSFET工艺，这种结构通过优化单元设计和降低单位面积的比导通电阻，显著提升了器件的电流密度和能效表现。其超低导通电阻（典型值仅为1.5mΩ）意味着在大电流应用中可大幅减少I2R损耗，从而提升系统效率并降低散热需求。这使得它特别适合用于高功率密度设计，如服务器电源、电信整流器和电动车辆中的功率转换模块。
　　该器件具备优异的热稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。得益于其高结温能力（最高达175°C），RSD175N10FRA能够在严苛的工作条件下持续运行而不会发生性能退化或热失控。同时，其封装采用低热阻设计，使热量能够快速传导至PCB或散热器，进一步增强了热管理能力。
　　在开关特性方面，RSD175N10FRA展现出较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，从而实现更高的工作频率。这对于高频DC-DC变换器尤为重要，因为它可以减小外围滤波元件的体积，进而缩小整体电源系统的尺寸。此外，其内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=25ns），可有效抑制换流过程中的电压尖峰和振荡，降低电磁干扰（EMI）风险。
　　安全性方面，RSD175N10FRA经过严格测试，具备优良的抗雪崩击穿能力和过载承受能力，能够在瞬态过压或短路事件中提供一定程度的自我保护。结合外部保护电路，可构建更加稳健的功率系统。该器件还支持并联使用，多个MOSFET并联时电流分配均匀，便于扩展功率等级而不影响系统稳定性。

RSD175N10FRA广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：大功率开关电源（SMPS），尤其是用于数据中心服务器和通信基站的高效电源模块；DC-DC升压/降压转换器，特别是在新能源汽车和工业自动化设备中需要处理数百安培级电流的场合；电机驱动系统，如电动助力转向（EPS）、电动压缩机和工业伺服驱动器，其中对动态响应和能量利用率有较高要求。
　　在新能源领域，该器件可用于太阳能光伏逆变器的直流侧开关单元，或作为储能系统中电池组的主控开关，利用其低导通损耗和高可靠性来延长系统寿命并提高转换效率。此外，在电动汽车的车载充电机（OBC）和直流快充桩中，RSD175N10FRA也常被用作关键的功率开关元件，承担高压直流到交流或交流到直流的高效转换任务。
　　工业控制系统中，诸如不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热装置等也需要使用此类高性能MOSFET来实现精确的功率调节和快速响应控制。由于其支持高频操作且热性能优越，RSD175N10FRA还能用于谐振变换器拓扑（如LLC、Phase-Shifted Full Bridge）中，以实现零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），进一步提升能效水平。
　　此外，由于该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，因此也可应用于汽车电子中的关键子系统，例如主动悬架控制、高压辅助加热器和高压配电单元。总之，凡是对导通损耗、热管理、可靠性和空间利用率有严格要求的高功率应用，RSD175N10FRA都是一个极具竞争力的选择。

IPB175N10N3 G

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