类型：齐纳钳位二极管阵列
　　配置：单路
　　齐纳电压（Vz）：6.8V
　　齐纳测试电流（Izt）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：35Ω
　　漏电流（Ir）：< 1μA @ VR = 1V
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　封装：SOD-123FL
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　反向重复峰值电压（Vrrm）：6.8V
　　正向电压降（Vf）：0.35V @ If = 10mA
　　响应时间：亚纳秒级

RSB6.8CMT2N的核心特性在于其将肖特基势垒二极管与齐纳击穿机制相结合的设计，实现了高效的电压钳位和快速响应能力。该器件在正常工作条件下呈现低正向导通压降（典型值仅为0.35V），从而减少功耗并提升系统能效，特别适合电池供电或低功耗应用场景。当电路中出现瞬态过电压时，其内部的齐纳结构能够在电压达到6.8V时迅速导通，将多余能量泄放到地，有效保护后级敏感元件如微控制器、通信接口芯片等。
　　该器件具备极快的响应速度，能够在纳秒级别内启动保护机制，对抗静电放电（ESD）脉冲（符合IEC61000-4-2 Level 4标准）和其他高频干扰信号表现出优异的抑制能力。此外，由于采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，器件占用PCB面积小，有助于实现高密度布局，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间高度敏感的产品。
　　RSB6.8CMT2N还具有良好的热稳定性和长期可靠性，在-55°C至+150°C的工作结温范围内性能稳定，适合宽温环境下的应用。其低漏电流特性（小于1μA）确保在待机或低功耗模式下不会引入额外的静态损耗，进一步优化系统能耗表现。制造工艺符合AEC-Q101车规级可靠性认证的部分要求，可用于车载信息娱乐系统或辅助电子模块中的信号线路保护。整体设计兼顾了电气性能、物理尺寸与环境适应性，是现代电子系统中理想的电压箝位与ESD防护解决方案之一。

RSB6.8CMT2N主要应用于需要瞬态电压抑制和静电放电（ESD）保护的低压电路中。常见使用场景包括USB数据线保护、HDMI或其他高速接口的信号线防护、GPIO引脚保护以及电源输入端的反接和浪涌保护。在移动设备如智能手机和平板电脑中，该器件用于保护摄像头模组、触摸屏控制器及传感器接口免受人体静电或充电过程中的电压冲击。
　　在工业控制领域，RSB6.8CMT2N可用于PLC输入输出模块、通信总线（如RS-232、I2C、SPI）的信号隔离与保护，防止因电缆感应或电源波动导致的损坏。此外，在汽车电子系统中，它可部署于车载导航、倒车影像、车内照明控制等非动力系统模块中，提供可靠的瞬态抑制功能。
　　由于其低电容特性（典型值低于10pF），该器件对高频信号的影响极小，不会引起明显的信号失真或衰减，因此也适用于高速数字通信路径的保护。在消费类电子产品如无线耳机、智能手表、路由器等设备中，RSB6.8CMT2N帮助提升产品鲁棒性和使用寿命，降低现场故障率。总体而言，凡是在存在电压瞬变、静电风险或反向连接可能性的场合，该器件都能发挥关键的保护作用。

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　　 "MMBD6800LT1G",
　　 "PMEG6800CP,115",
　　 "SZESD7361BT1G"
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