时间:2025/12/25 10:19:22
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RSA6.1J4T2R 是一款由 Vishay Semiconductor 提供的表面贴装整流二极管阵列,专为高速开关应用设计。该器件集成了多个肖特基势垒二极管,采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于高频整流、信号解调、电压钳位及 ESD 保护等电路场景。其型号中的 'RSA' 表示该系列为整流器阵列,'6.1' 指其额定反向重复峰值电压(VRRM)为 6.1V,'J' 代表其电气特性等级,'4T2R' 则表明其封装形式与内部连接配置。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信模块、电源管理单元以及工业控制电路中,尤其适合对空间布局和热性能有严格要求的设计。
类型:肖特基二极管阵列
配置:双串联对共阴极(Dual Series Pair Common Cathode)
最大重复峰值反向电压 VRRM:6.1V
最大直流阻断电压 VR:6.1V
平均整流电流 IO:300mA
峰值浪涌电流 IFSM:1A
正向电压 VF(典型值):350mV @ 10mA
最大反向漏电流 IR:10μA @ 6.1V
反向恢复时间 trr:典型值 < 1ns
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +125°C
存储温度范围 Tstg:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-363(SC-88A)
引脚数:6
安装方式:表面贴装(SMD)
RSA6.1J4T2R 的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构通过金属-半导体结取代传统的 PN 结,显著降低了正向导通压降,从而减少功耗并提升系统效率。在实际应用中,典型的正向电压仅为 350mV(在 10mA 条件下),远低于普通硅二极管的 700mV 水平,这对于电池供电或低电压工作的系统尤为重要,有助于延长续航时间并降低热积累。
该器件具备极快的开关速度,反向恢复时间 trr 典型值小于 1 纳秒,使其能够在高频环境下稳定运行,有效抑制开关噪声和电压过冲,适用于高达数百 MHz 的信号处理场合。此外,其低结电容设计进一步提升了高频响应能力,减少了信号失真,特别适合用于 RF 检波、高速数据线路保护以及精密电压采样电路。
从可靠性角度看,RSA6.1J4T2R 支持宽温工作范围(-55°C 至 +125°C),确保在极端环境下的稳定性。其 SOT-363 小型化封装不仅节省 PCB 面积,还具备良好的散热性能,适应自动化贴片生产工艺,提高了生产良率和一致性。同时,该器件符合 RoHS 和无卤素标准,满足现代电子产品环保法规的要求,适用于消费类电子、物联网终端、无线传感器网络等多种应用场景。
RSA6.1J4T2R 广泛应用于需要小型化、高效率和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源路径管理,如智能手机和平板电脑中的电池充放电保护电路;在通信接口中作为 USB、I2C 或 SPI 总线的瞬态电压抑制(TVS)和静电放电(ESD)防护元件;也可用于音频信号处理中的限幅与钳位,防止大信号损坏后续放大器级。
在工业控制领域,该器件可用于传感器信号调理电路,提供方向性整流和干扰抑制功能。此外,在开关电源(SMPS)反馈回路或辅助偏置电路中,RSA6.1J4T2R 可作为高频整流元件,配合电感和电容完成能量转换。其双串联对结构也使其适用于差分信号路径中的对称保护设计,增强系统的抗干扰能力和长期运行稳定性。由于其低 VF 和快速响应特性,它还常被用于精密测量设备中的电压基准保持电路或采样保持单元中,以最小化非理想效应带来的误差。
RSB6.1J4T2R
RSA5.0J4T2R
PMX6.1-7-F
BZT52C6V2