时间：2025/5/10 12:26:56
阅读：11
RS4N80F是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，适合高效率的功率转换应用。
RS4N80F通过优化的制造工艺实现了较高的电流承载能力和较低的功耗，同时其出色的热性能使其能够在紧凑的设计中保持稳定工作。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
总功耗：1.2W
结温范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-252
RS4N80F具有以下主要特性：
1. 低导通电阻设计，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化的TO-252封装，便于PCB布局与散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 支持高温工作环境，结温最高可达150℃。
RS4N80F适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
4. 各类电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机控制。
5. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
RS4N80E, FQP18N60C, IRFZ44N
