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RS4MBF 发布时间 时间:2025/8/16 20:34:39 查看 阅读:9

RS4MBF 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,属于功率MOSFET系列。该器件通常用于高效率、高频率的功率转换系统,例如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池供电设备。RS4MBF 采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。这款MOSFET通常采用表面贴装封装(SOP或DFN),适合自动化生产和紧凑型电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):4A
  漏极-源极击穿电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约28mΩ @ Vgs=10V
  功耗(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOP8或DFN

特性

RS4MBF MOSFET具有多项显著的电气和热性能优势。其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流工作时损耗最小,提高系统效率。该器件具备高栅极击穿电压(±20V),提高了抗干扰能力和长期稳定性。RS4MBF 的封装设计优化了热管理性能,确保在高负载条件下仍能维持较低的结温,从而提升整体系统的可靠性。
  此外,RS4MBF 的高速开关特性使其适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC转换器和负载开关。它还具有良好的雪崩能量承受能力,增强了器件在突发电压冲击下的耐用性。由于其小型化封装,RS4MBF 非常适合空间受限的便携式电子产品,例如笔记本电脑、智能电表和工业控制设备中的电源模块。

应用

RS4MBF MOSFET广泛应用于各类电子系统中,尤其适用于高效率电源管理电路。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制电路。由于其优异的导通性能和封装尺寸的紧凑性,该器件也常用于便携式设备和智能家居产品中的电源转换模块。此外,RS4MBF 还适用于需要高可靠性的汽车电子系统,如车载充电器、LED照明驱动和电动助力转向系统。

替代型号

Si4448BDY-T1-GE3, AO4406A, FDS4410AS, IPP045N03L G

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