类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：3A
　　最大漏-源电压 (VDS)：30V
　　最大栅-源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：60mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻 (RDS(on))：85mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

RS3EB-TR 具有多个显著的性能优势。首先，其低导通电阻特性使其在导通状态下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统效率。例如，在 VGS 为 10V 时，RDS(on) 仅为 60mΩ，这种低电阻特性对于大电流应用场景尤为重要，可以有效降低器件发热。
　　其次，该 MOSFET 提供了优异的开关性能。由于采用了先进的沟槽式结构技术，RS3EB-TR 在开关过程中具有快速的上升和下降时间，减少了开关损耗，提高了系统响应速度。这使得它在高频开关电源和 DC-DC 转换器中表现出色。
　　此外，RS3EB-TR 具有良好的热稳定性。其 SOT-23 封装设计不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，能够在高电流负载下保持稳定的工作温度。这有助于延长器件寿命并提高系统的可靠性。
　　最后，RS3EB-TR 的 ±20V 栅极电压耐受能力确保了其在不同驱动条件下的稳定运行，使其适用于多种驱动电路配置。

RS3EB-TR 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效率功率管理的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，RS3EB-TR 可作为主开关元件，实现高效的能量转换。它也可用于负载开关应用，例如在电池管理系统中控制电池供电电路的通断，以提高能效并延长电池寿命。
　　此外，RS3EB-TR 还常用于电机控制电路中，作为电机驱动的功率开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，RS3EB-TR 可用于管理内部电源分配，确保各个子系统的高效运行。
　　工业自动化设备和电源管理系统也是 RS3EB-TR 的典型应用领域。在这些应用中，其低导通电阻和高开关速度有助于提高设备的整体能效，并减少发热。

Si2302DS, 2N7002, BSS138