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RS3E095BN 发布时间 时间:2025/12/25 12:51:52 查看 阅读:18

RS3E095BN是一款由Rectron Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL封装。该器件专为高效率、小尺寸的电源应用设计,广泛用于开关模式电源(SMPS)、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。作为一款肖特基二极管,RS3E095BN具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复特性,能够显著提升电源系统的整体能效,并减少热损耗。其额定平均正向整流电流为1A,最大重复峰值反向电压为95V,适用于中低压直流电路中的整流与阻断功能。该产品符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适合在消费电子、工业控制、通信设备及便携式电子产品中使用。由于采用了紧凑型SOD-123FL封装,RS3E095BN非常适合对空间要求严格的PCB布局设计,同时支持自动化贴片生产流程。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  配置:单路
  是否无铅:是
  是否环保:符合RoHS
  工作温度范围:-65℃ ~ +125℃
  存储温度范围:-65℃ ~ +150℃
  平均正向整流电流:1A
  峰值重复反向电压:95V
  非重复峰值正向浪涌电流:30A
  最大正向电压:1.2V @ 1A
  最大反向漏电流:50μA @ 95V
  反向恢复时间:典型值5ns
  热阻:600℃/W(结到环境)

特性

RS3E095BN的核心优势在于其低正向压降和超快开关速度。在1A的工作电流下,其最大正向压降仅为1.2V,相较于传统PN结二极管可大幅降低导通损耗,提高系统效率。这种低Vf特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间并减少发热问题。此外,该二极管采用肖特基势垒结构,不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短,典型值仅为5ns,几乎无反向恢复电荷,从而有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升了整个电源系统的稳定性与可靠性。
  该器件的95V反向耐压能力使其适用于多种常见的DC-DC转换拓扑,如升压(Boost)、降压(Buck)和反激式变换器,在这些电路中常被用作输出整流或续流二极管。其1A的平均整流电流能力足以满足多数中小功率应用需求。SOD-123FL封装不仅体积小巧(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),还优化了散热路径,提高了单位面积内的功率密度。该封装形式支持回流焊工艺,兼容现代SMT生产线,有利于实现高效的大批量制造。
  RS3E095BN具有优异的温度稳定性,可在-65℃至+125℃的结温范围内正常工作,适应严苛的工业环境。其最大反向漏电流在高温条件下仍保持较低水平(50μA @ 95V),避免因漏电增加而导致的能量浪费或热失控风险。器件还具备30A的非重复浪涌电流承受能力,能够在瞬态过载或启动冲击下提供一定的安全裕度。综合来看,RS3E095BN是一款性能均衡、可靠性高且成本效益优良的通用型肖特基二极管,特别适合追求小型化与高能效的设计方案。

应用

RS3E095BN广泛应用于各类中低功率电子设备中。在开关模式电源(SMPS)中,它常用作次级侧整流元件,特别是在便携式充电器、适配器和LED驱动电源中表现优异。由于其快速响应特性和低导通损耗,也常用于DC-DC转换器中的续流二极管或防倒灌二极管,例如在同步整流架构中配合MOSFET使用以防止反向电流流动。此外,该器件可用于逆变器电路中的箝位和保护环节,吸收感性负载产生的反向电动势,保护主控开关器件。
  在消费类电子产品中,RS3E095BN常见于智能手机、平板电脑、无线耳机等设备的电源管理模块中,承担电池充放电路径的隔离与保护任务。它也可用于USB接口的极性保护电路,防止反接损坏后级IC。在工业控制系统中,该二极管可用于PLC输入输出模块、传感器供电回路以及继电器驱动电路中的续流作用,确保电磁线圈断电时不会产生高压反冲。
  此外,RS3E095BN还可应用于太阳能充电控制器、小型逆变电源、LED照明驱动、汽车电子附件(如车载充电器)等领域。凭借其紧凑的SOD-123FL封装和出色的电气性能,该器件已成为许多设计师在空间受限且注重效率的应用场景下的首选肖特基二极管之一。

替代型号

1N5819WS-7-F,SS14,S1BB

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