类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

RS3C-TR MOSFET 具备多项优良特性，使其在多种电源管理场合中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 4.5V 和 2.5V 栅极驱动电压下分别仅为 65mΩ 和 85mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这使得它非常适合用于电池供电设备，例如智能手机、便携式医疗设备和无线耳机等对功耗敏感的应用。
　　其次，该器件的漏源电压为 20V，支持在中等电压范围内安全工作，适用于常见的 12V 和 5V 电源系统。其栅源电压限制为 ±12V，提供了良好的抗过压能力，确保在各种驱动条件下稳定运行。
　　RS3C-TR 的连续漏极电流为 3A，具备较强的电流承载能力，适合用于负载开关、DC-DC 转换器和马达控制电路。同时，其 SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，还具有良好的热管理性能，适合高密度 PCB 布局。
　　此外，RS3C-TR 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备优异的温度适应能力，可在严苛的工业环境和汽车电子系统中稳定运行。

RS3C-TR MOSFET 广泛应用于多种电子设备和系统中。在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，以实现高效的能量转换和分配。在便携式电子产品中，如智能手表、平板电脑和无线耳机，RS3C-TR 被用于电池管理系统和电源控制电路，以延长电池续航时间。
　　此外，该器件适用于电机控制和继电器驱动电路，特别是在低电压、中等电流的场合，如无人机、智能家电和工业自动化设备。RS3C-TR 的高可靠性和宽工作温度范围也使其成为汽车电子系统中的理想选择，例如车载充电器、车身控制模块和传感器电源管理单元。
　　由于其 SOT-23 封装形式，RS3C-TR 也非常适合用于高密度 PCB 设计，适用于消费类电子产品、通信设备和物联网（IoT）设备中的功率开关和信号控制应用。

Si2302DS、AO3400A、FDN340P、FDS6675、TPS62113