类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：100mA（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

RS2EA-TR 具备低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，该 MOSFET 的封装设计便于散热，并且适用于自动贴片工艺，适合大规模生产和高可靠性设计。RS2EA-TR 还具备良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，增强了其在各种环境下的适用性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 2.5V 到 12V 的控制信号，兼容多种控制器和逻辑电平。ROHM 的制造工艺确保了其在极端条件下的可靠性，包括高温和高湿环境。RS2EA-TR 还具备较强的抗静电能力，提升了器件在生产、运输和使用过程中的安全性。

RS2EA-TR 常用于低功率 DC-DC 转换器、负载开关、LED 驱动器、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备和小型电机控制电路中。其高效率和小尺寸特性使其成为移动设备、物联网（IoT）设备和传感器节点等应用的理想选择。此外，该 MOSFET 可用于保护电路中的反向电流阻断功能，以及作为电源管理单元中的开关元件。在汽车电子系统中，RS2EA-TR 也可用于车身控制模块、仪表盘和车载娱乐系统中的电源调节电路。

2N7002, BSS138, FDV301N